1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschludrhte in 3 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten
364
28.02.2002
DAN 801 / DAP 801 (200 mW)
Small Signal Diode Arrays
Dioden Stze mit Allzweckdioden
Nominal power dissipation
200 mW
Nenn-Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
80 V
Periodische Spitzensperrspannung
9 Pin-Plastic case
24 x 3.5 x 6.6 [mm]
9 Pin-Kunststoffgehuse
Weight approx. Gewicht ca.
0.6 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging: bulk
see page 22
Standard Lieferform: lose im Karton
s. Seite 22
"DAP": common anodes / gemeinsame Anoden
"DAN": common cathodes / gemeinsame Kathoden
Maximum ratings
Grenzwerte
Type
Typ
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
[V]
Surge peak reverse voltage
Stospitzensperrspannung
V
RSM
[V]
DAN 801
80
80
DAP 801
80
80
Max. average forward rectified current, R-load,
T
A
= 25
/
C
for one diode operation only
I
FAV
100 mA
1
)
per diode for simultaneous operation
I
FAV
25 mA
1
)
Dauergrenzstrom in Einwegschaltung mit R-Last,
T
U
= 25
/
C
fr eine einzelne Diode
I
FAV
100 mA
1
)
pro Diode bei gleichzeitigem Betrieb
I
FAV
25 mA
1
)
Peak forward surge current, 50 Hz half sine-wave
T
A
= 25
/
C
I
FSM
500 mA
Stostrom fr eine 50 Hz Sinus-Halbwelle
1
) Leads kept at ambient temperature at a distance of 3 mm from case
Anschludrhte in 3 mm Abstand von Gehuse auf Umgebungstemperatur gehalten
365
28.02.2002
DAN 801 / DAP 801 (200 mW)
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+150
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+150
/
C
Characteristics
Kennwerte
Forward voltage
T
j
= 25
/
C
I
F
= 10 mA
V
F
< 1.0 V
Durchlaspannung
Leakage current
T
j
= 25
/
C
V
R
= 20 V
I
R
< 25 nA
Sperrstrom
Reverse recovery time
I
F
= 10 mA through/ber
t
rr
< 4 ns
Sperrverzug
I
R
= 10 mA to/auf I
R
= 1 mA
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 85 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
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