1
) Mounted on P.C. board with 25 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 25 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses t
p
= 300
:
s, duty cycle
#
2% Gemessen mit Impulsen t
p
= 300
:
s, Schaltverhltnis
#
2%
1
2
0
.
1
1
,
25
0.
2
MCL103A ... MCL103C
Schottky-Diodes
Surface mount Schottky-Barrier Diodes
Schottky-Barrier Dioden fr die Oberflchenmontage
Version 2004-02-03
Power dissipation
400 mW
Verlustleistung
Repetitive peak reverse voltage
20 ... 40 V
Periodische Spitzensperrspannung
Glass case
Quadro-MicroMELF
Glasgehuse
Weight approx. Gewicht ca.
0.01 g
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped and reeled
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
Maximum ratings (T
A
= 25
/
C)
Grenzwerte (T
A
= 25
/
C)
MCL103A MCL103B MCL103C
Repetitive peak reverse voltage
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
40 V
30 V
20 V
Power dissipation Verlustleistung
P
tot
400 mW
1
)
Max. average forward current (dc)
Dauergrenzstrom
I
FAV
200 mA
1
)
Peak fwd. surge current, 60 Hz half sine-wave
Stostrom fr eine 60 Hz Sinus-Halbwelle
I
FSM
15 A
Junction temperature Sperrschichttemp.
T
j
125
/
C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
- 55...+ 175
/
C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Forward voltage Durchlaspannung
2
)
I
F
= 20 mA
I
F
= 200 mA
V
F
V
F
0.37 V
0.6 V
Leakage current Sperrstrom
2
)
V
R
= 10 V
V
R
= 20 V
V
R
= 30 V
MCL103C
MCL103B
MCL103A
I
R
I
R
I
R
5
:
A
5
:
A
5
:
A
1
) Mounted on P.C. board with 3 mm
2
copper pad at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 3 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
120
100
80
60
40
20
0
[%]
I
FAV
T
A
[C]
Rated forward current versus ambient temperature )
Zul. Richtstrom in Abh. von der Umgebungstemp. )
1
1
10
10
1
10
10
2
-1
-2
[A]
I
F
Forward characteristics (typical values)
Durchlasskennlinien (typische Werte)
Schottky-Diodes
MCL103A ... MCL103C
Characteristics (T
j
= 25
/
C)
Kennwerte (T
j
= 25
/
C)
Min.
Typ.
Max.
Junction capacitance Sperrschichtkapazitt
V
R
= 0, Vf = 1 MHz
C
tot
50 pF
Reverse recovery time Sperrverzug
I
F
= 200 mA through/ber
I
R
= 200 A to/auf I
R
= 20 mA
t
rr
10 ns
Thermal resistance junction to ambient air
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
R
thA
300 K/W
1
)
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