1
) Mounted on P.C. board with 50 mm
2
copper pads at each terminal
Montage auf Leiterplatte mit 50 mm
2
Kupferbelag (Ltpad) an jedem Anschlu
2
) Tested with pulses Gemessen mit Impulsen
3
) The ZMY 1 is a diode operated in forward. Hence, the index of all parameters should be "F" instead of "Z".
The cathode, indicated by a white ring is to be connected to the negative pole.
Die ZMY 1 ist eine in Durchla betriebene Si-Diode. Daher ist bei allen Kenn- und Grenzwerten der Index
"F" anstatt "Z" zu setzten. Die durch den weien Ring gekennzeichnete Kathode ist mit dem Minuspol zu verbinden.
210
ZMY 1...ZMY 200 (1.3 W)
Surface mount Silicon-Zener Diodes
Flchendiffundierte Si-Zener-Dioden
(non-planar technology)
fr die Oberflchenmontage
Version 2004-05-13
Maximum power dissipation
1.3 W
Maximale Verlustleistung
Nominal Z-voltage Nominale Z-Spannung
1...200 V
Plastic case MELF
DO-213AB
Kunststoffgehuse MELF
Weight approx. Gewicht ca.
0.12 g
Plastic material has UL classification 94V-0
Gehusematerial UL94V-0 klassifiziert
Dimensions / Mae in mm
Standard packaging taped and reeled
see page 18
Standard Lieferform gegurtet auf Rolle
siehe Seite 18
Standard Zener voltage tolerance is graded to the international E 24 (~5%) standard.
Other voltage tolerances and higher Zener voltages on request.
Die Toleranz der Zener-Spannung ist in der Standard-Ausfhrung gestuft nach der internationalen
Reihe E 24 (~5%). Andere Toleranzen oder hhere Arbeitsspannungen auf Anfrage.
Advantages of non-planar Zener-Diodes:
Improved clamping capability
Increased max. zener current I
Zmax
Chips produced with Plasma-EPOS technology
Molded plastic over passivated junction
Vorteile der flchendiffundierten Zener-Dioden:
Hohe Impulsfestigkeit
Hoher max. Arbeitsstrom I
Zmax
Chips hergestellt in Plasma-EPOS-Technologie
Passivierte Chips im Plastik-Gehuse
Maximum ratings and Characteristics
Grenz- und Kennwerte
Power dissipation Verlustleistung
T
A
= 50C
P
tot
1.3 W
1
)
Non repetitive peak power dissipation, t < 10 ms
T
A
= 25C
P
ZSM
40 W
Einmalige Impuls-Verlustleistung, t < 10 ms
Operating junction temperature Sperrschichttemperatur
T
j
50...+150C
Storage temperature Lagerungstemperatur
T
S
50...+175C
Thermal resistance junction to ambient air
R
thA
< 45 K/W
1
)
Wrmewiderstand Sperrschicht umgebende Luft
Thermal resistance junction to terminal
R
thT
< 10 K/W
Wrmewiderstand Sperrschicht Kontaktflche
2.5
5.
0
0
.5
0.
5
Ty
p
e
Ty
p
PDF 
ZIP