Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
200, 400
V
repetitive peak reverse voltage
600
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
250, 450
V
non-repetitive peak reverse voltage
650
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
8000
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
K
= 118C
I
FAVM
5100
A
mean forward current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
FSM
60
kA
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
52
kA
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
18,0
As*10
6
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
13,5
As*10
6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 14kA
v
F
max.
1,36
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,7
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,047
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
60
mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
max. 0,00935
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,00879
C/W
Anode / anode,
= 180sin
max.
C/W
Anode / anode, DC
max.
C/W
Kathode / cathode,
= 180sin
max.
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,0030
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
180
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+180
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+180
C
storage temperature
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
46 DN 02 ... 06
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anprekraft
F
30...45
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
102
g
weight
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbestndigen O-Ring zu schtzen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
46 DN 02 ... 06
N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,000017
0,000150
0,00105
0,000413
0,00093 0,003475 0,00275
two-sided
n
[s]
0,000014
0,000173
0,00110
0,004360
0,01950 0,092000 0,28200
anodenseitig
R
thn
[C/W]
anode-sided
n
[s]
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
cathode-sided
n
[s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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Grenzdurchlakennlinien / Limiting 0n-state characteristics i
F
= f(v
T
)
T
vj
= T
vjmax
T
vj
= 25 C
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0
2000
4000
6000
8000
10000
12000
14000
16000
18000
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
v
F
[V]
i
F
[A]
v
T
= A+B*i
T
+ln(i
T
+1)+
i
T
T
vj
= 25 C T
vj
= T
vj max
A = 0,884 = 0,63337
B =1,22746E-05 = 7,07695E-06
C = -2,603E-02 = -2,8199E-02
D = 5,4002E-03 = 7,553E-03
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