ChipFind - документация

Электронный компонент: 65DN06

Скачать:  PDF   ZIP
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
200, 400
V
repetitive peak reverse voltage
600
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
250, 450
V
non-repetitive peak reverse voltage
650
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
13300
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
K
= 98 C
I
FAVM
8470
A
mean forward current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
FSM
103
kA
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
95
kA
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
53
As*10
6
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
45
As*10
6
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 10kA
v
F
max.
0,98
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,7
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,027
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
i
R
max.
100
mA
reverse current
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
max. 0,0047
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0040
C/W
Anode / anode,
= 180sin
max.
C/W
Anode / anode, DC
max.
C/W
Kathode / cathode,
= 180sin
max.
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0025
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
180
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+180
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+180
C
storage temperature
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rther
A 115/98
Seite/page 1(11)
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellets with pressure contact
Anprekraft
F
55...80
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
g
weight
Kriechstrecke
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Hinweis :
Wir empfehlen die Diode mit einem temperaturbestndigen O-Ring zu schtzen.
Notice:
We recommend to protect the diode with a temperture resistant O-Rin g.
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rther
A 115/98
Seite/page 2(11)
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
SZ-M / 28.09.98 K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 1
Seite/page 3(11)
Technische Information / Technical Information
Netz Gleicgrichterdiode
Rectifier DiodeThyristor
65 DN 02 ... 06
N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,002386
0,000785
0,000769
0,000058
two-sided
n
[s]
0,063997
0,017082
0,000942
0,000027
anodenseitig
R
thn
[C/W]
anode-sided
n
[s]
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
cathode-sided
n
[s]
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t / t
n
))
n=1
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rther
A 115/98
Seite/page 4(11)
Technische Information / Technical Information
Netz-Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Grenzdurchlakennlinie / Limiting Forward characteristics i
F
= f(v
F
)
-- -- T
vj
= 180C
------ T
vj
= 25C
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 2
Seite/page 5(11)
Vorlufige Daten / Preliminary data
0
5000
10000
15000
20000
25000
30000
35000
0,5
1
1,5
2
v
F
[V]
i
F
[A]
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Transienter innerer Wrmewiderstand / Transient thermal impedance Z
(th)JC
= f (t), DC
SZ-M, 28.09.1998, K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 3
Seite/page 6(11)
0,000
0,001
0,002
0,003
0,004
0,005
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
R
(thJC)
[C/W]
DC
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
Differenz zwischen den Wrmewiderstnden fr Pulsstrom und DC / Difference between the values
of thermal for pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 4
Seite/page 7(11)
0
0,0005
0,001
0,0015
0,002
0,0025
0,003
30
60
90
120
150
180
[el]
R
thJC
[C/W]
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02 ... 06
N
Normiertes Grenzlastintegral als Funktion der Halbschwingungsdauer tp
Normalized
idt rating as a function of the duration of a half-cycle tp
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 5
Seite/page 8(11)
0,2
0,3
0,4
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1,0
1,1
0
2
4
6
8
10
12
t
p
[ms]
i dt (normiert)
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
; V
R
< 0,5 V
RRM
; V
RM
< 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / Foward current i
FM
SZ-M / 28.09.98, K.-A.Rther
A 115/98
Z. Nr.: 6
Seite/page 9(11)
100
1000
10000
0,1
1
10
100
1000
- di
F
/ dt [A/s]
Q
r
[As]
i
FM
[A]
6400
3200
1600
800
400
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
65 DN 02...06
N
berstrom / Overload on-state current I
F(OV)
= f(t)
Beidseitige verstrkte Khlung / forced two-sided cooling K53
T
A
= 25C, V
L
= 4 l/s
Parameter: Vorlaststrom / pre-load current I
FAV(vor)
SZ-M / 24.11. 1998, K.-A.Rther
Seite/page 10(11)
10.000
100.000
0,01
0,1
1
10
100
1000
t [s]
I
F (OV)
[A]
I
FAV (vor)
=
0 A
3000 A
4000 A
4800 A
5400 A
5800 A
Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
N
Grenzstrom / Max. overload on-state current I
F(OV)M
= f(t), v
RM
= 0,8 V
RRM
Beidseitige verstrkte Khlung / forced two-sided cooling K53
T
A
= 25 C, V
L
= 4 l/s
Belastung aus / Surge current occurs:
a - Leerlauf / No-load conditions
b - Betrieb mit Dauergrenzstrom / During operation at max. average on-state
current I
TAVM
SZ-M / 24.11.1998, K.-A.Rther
Seite/page 11(11)
0
10.000
20.000
30.000
40.000
50.000
60.000
70.000
80.000
90.000
100.000
110.000
0,01
0,1
1
10
t [s]
I
F(OV)M
[A]
T
A
= 25 C, V
L
= 4 l / s
a
b