Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 1251 S 45 T
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C...140C
V
RRM
4500 V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
t
vj
= +25C...140C
V
RSM
4600 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
I
FRMSM
2400 A
Dauergrenzstrom / mean forward current
t
C
= 85C
I
FAVM
1310 A
t
C
= 70C
1530 A
Stostrom-Grenzwert
1)
t
vj
= 25C
I
FSM
surge forward current
1)
t
vj
= 140C
18000 A
1)
Grenzlastintegral
t
vj
= 25C
It
It-value
t
vj
= 140C
1,62x10
6
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichsperrspannung / contin. direct reverse voltage
t
C
= -40C...+85C
V
R(D)
typ. 2500 V
Durchlaspannung / forward voltage
t
vj
= 140C i
FM
= 2500 A
V
F
max. 2,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage
t
vj
= 140c
V
(TO)
1,25 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
t
vj
= 140C
r
T
0,45 m
Sperrstrom / reverse current
t
vj
= 140C, v
R
= 0,67 V
RRM
i
R
t
vj
= 140C, v
R
= V
RRM
80 mA
Rckstromspitze / peak reverse recovery current
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/s
I
RM
800 A
t
vj
= 140 C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 F; R = 4
Sperrverzgerungsladung
i
FM
= 1000 A, -di
F
/dt = 250 A/s
Q
rr
3000 As
recovered charge
t
vj
= 140 C; v
R(Spr)
= 1000 V;
C = 3 F; R = 4
Period. Abklingsteilheit des Durchlastromes beim Ausschalten /
i
FM
= 2000 A, C
S
= 3 F; R = 4
(-di/dt)
com
500 A/s
repetitive decay rate of on-state current at turn-off
t
vj
= 140 C; v
R
= 3000 V;
Snubberdiode D291S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided
0,014 K/W
Anoden / anode
0,0245 K/W
Kathode / cathode
0,0325 K/W
bergangs-Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
0,005 K/W
einseitig / single-sided
0,01 K/W
Hchstzul. Sperrschichttemperatur/ max. junction temperat.
t
vj
max
140 C
Betriebstemperatur / operating temperature
t
c
op
-40...+140 C
Lagertemperatur / storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage / case, see appendix
Seite / page 1
Anprekraft /clamping force
F
15...36 kN
Gewicht / weight
G
ca. 350 g
Luftstrecke / air distance
ca. 10 mm
Kriechstrecke / creepage distance
16 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1) Gehusegrenzstrom ca 15 kA, 50 Hz Sinus-Halbwelle / current liit of cas ca 15 kA, 50 Hz sine half wave
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