Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
800
V
repetitive peak forward reverse voltage
900
V
1000
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
900
V
non-repetitive peak reverse voltage
1000
V
1100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
230
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=85C
I
FAVM
138
A
mean forward current
T
C
=82C
146
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
1950
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
1600
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
19000
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
12800
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 450 A
v
F
max.
2,4
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,32
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
2,2
m
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
9,5
V
1)
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=100A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
max.
1,1
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*tfr
di
F
/dt=100A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
5
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
40
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
47
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/s
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
32
As
1)
recovered charge
i
FM
=225 A,-di
F
/dt=100A/s
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
1,1
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/s
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
0,003
s/A
2)
Softness
i
FM
=225A,-di
F
/dt=100A/s
v
R
=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 30. April 1993 , R.Jeke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 138 S 08...10
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,141
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,133
C/W
Anode / anode,
=180sin
max.
0,224
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,216
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max.
0,344
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,336
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,015
C/W
einseitig / single-sided
max.
0,030
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 15mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
1,7...3,4
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
65
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,00694
0,0131
0,023
0,0335
0,0552
two-sided
n
[s]
0,000727 0,00909
0,0281
0,134
0,529
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00755
0,0246
0,0215
0,0799
0,0683
anode-sided
n
[s]
0,000812
0,0132
0,064
0,412
1,88
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00784
0,0277
0,022
0,0947
0,115
cathode-sided
n
[s]
0,000855
0,0143
0,123
0,473
2,17
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
SZ-M / 30. April 1993, R.Jrke
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0,0691
10
0,0011
2,27
0,0141
10,8
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
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Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[
A]
PDF 
ZIP