Technische Information / Technical Information
Avalanche-Netz-Gleichrichterdiode
Avalanche Rectifier Diode
D 1481N 58 ... 68T
BIP AC / 2003-01-23, Schneider / Keller
Release 5
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 160C mit 50Hz
Full blocking capability at 160C with 50Hz
Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
f = 50Hz
V
RRM
T
vj min
= -40C
5800
6000
6500
6800
T
vj min
= 0C
6000
6200
6700
7000
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
T
c
= 60C. f = 50Hz
I
FRMSM
3400 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
1600
2160
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
28
24,5
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 3,92
*10
6
3 *10
6
A
2
s
A
2
s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
V
F
typ.
1,68
max.
1,8
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
0,71
max.
0,75
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
0,39
max.
0,42
m
Durchlarechenkennlinie
500 A
i
F
2500 A
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ.
0,66717134
0,00014844
0,045962
0,0200832
max.
0,63722103
0,00011161
-0,04813548
0,02532629
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
50 mA
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
11 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
I
FM
= 1000A, -di/dt = 10A/s,
v
R
= 1000V, v
RM
= 1600V
R
= 47
, C
= 0,44F, T
vj
= T
vj max
I
RM
300 A
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,014
0,027
0,029
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,005
0,010
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
55DN68
Anprekraft
clampig force
F 15...36 kN
Gewicht
weight
G
typ
600 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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Mabild / Outline drawing
26
+-
0
.
5
C
A
75
+0.2/-0.8
48
2 center holes
3.5 2.0
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Durchlakennlinie / On-state characteristics i
F
= f( V
F
)
Limiting and typical on-state characteristic
T
vj
= 160C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
0,5
1
1,5
2
2,5
V
F
[V]
i
F
[A]
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Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
(th)JC
= f (t)
Double side
cooled
Cathode side
cooled
Anode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,00609
0,70234
0,01992
3,83051
0,01780
4,09148
2
0,00371
0,09977
0,00083
0,46557
0,00102
0,32433
3
0,00296
0,01701
0,00439
0,09676
0,00456
0,08462
4
0,00114
0,00428
0,00289
0,01368
0,00288
0,01107
5
0,00000
0,00262
0,00085
0,00381
0,00052
0,00302
0,014 -
0,029
-
0,027
-
(
)
-
-
=
n
t
n
th
JC
th
n
e
R
t
Z
/
1
)
(
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
a
c
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