Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 170 S 25
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
2500
V
repetitive peak forward reverse voltage
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
2600
V
non-repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
400
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=85C
I
FAVM
170
A
mean forward current
T
C
=44C
255
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
4300
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
3700
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
92450
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
68450
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 800 A
v
F
max.
2,3
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
1,4
m
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
48
V
1)
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=200A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
max.
2,2
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*tfr
di
F
/dt=200A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
5
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
70
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
340
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
870
As
1)
recovered charge
i
FM
=500 A,-di
F
/dt=200A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
4
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sanftheit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
SR
0,004
s/A
2)
Softness
i
FM
=500A,-di
F
/dt=200A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
Anode / anode,
=180sin
max.
0,19
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,18
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
einseitig / single-sided
max.
0,04
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
140
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+140
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 23mm
Si-pellet with pressure contact
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
M
20
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
110
g
weight
Kriechstrecke
12
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks: K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[A]
PDF 
ZIP