Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 188 S 10...14
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
1000
V
repetitive peak forward reverse voltage
1200
V
1400
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1100
V
non-repetitive peak reverse voltage
1300
V
1500
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
290
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100C
I
FAVM
185
A
mean forward current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
2400
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
1900
A
T
vj
= 25C, tp = 1 ms
5060
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
4000
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
28800
As
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
18050
As
T
vj
= 25C, tp = 1ms
12800
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
8000
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 600 A
v
F
max.
2,2
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
1,8
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ
5,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ
3,1
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=600A
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
4
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
40
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
60
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=185A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM
= 200V
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
132
As
1)
recovered charge
i
FM
=185 A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
= 200V
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
2,4
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=185A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
= 200V
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
s/A
2)
Softness
i
FM
=185A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,15
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,14
C/W
Anode / anode,
=180sin
max.
0,22
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,21
C/W
/ , =180
max.
0,43
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,42
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,015
C/W
einseitig / single-sided
max.
0,030
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 15mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
1,7...3,4
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
60
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
5x9,81
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; KL42 ; K0,36S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,0003
0,00262
0,0189
0,06818
0,05
two-sided
n
[s]
0,000051 0,000516 0,00148
0,0488
0,311
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00075
0,0225
0,0287
0,06775
0,0903
anode-sided
n
[s]
0,000099
0,00143
0,0269
0,115
5,78
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00048
0,0229
0,0419
0,04372
0,151
cathode-sided
n
[s]
0,000066
0,00141
0,0322
0,147
3,768
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Schnelle Gleichrichterdiode
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Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
100
200
300
400
500
600
700
800
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[A]
PDF 
ZIP