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Электронный компонент: D2201N

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Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
1
Features:
Umschwingdiode nur fr Crow Bar
Anwendungen
Specially designed only for Crow Bar
application
Volle Sperrfhigkeit bei 140C mit 50Hz
Full blocking capability at 140C with 50Hz
Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische
Eigenschaften
/
Electrical
properties

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -40C ... T
vj max
V
RRM
4500 V
Stospitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
T
vj
= +25C ... T
vj max
V
RSM
4600 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
5200 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
2100
3300
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25
C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max,
t
p
= 10 ms
I
FSM
I
FSM
38
35
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25
C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max,
t
p
= 10 ms
I
2
t
I
2
t
7,22 x10
6
6,125 x10
6
A
2
s
A
2
s

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 2500A
v
F
max
1,2 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,688 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,205 m
Durchlarechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max

A
B
C
D
max.
0,69898
-1,5947E-05
-0,044108
0,017740
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
100 mA
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
Seite/page
2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC

max
max
max
0,01
0,0236
0,0173

C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK

max
max
0,003
0,006

C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
140 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+140 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si Element mit Druckkontakt
Si pellet with pressure contact
65DN45
Anprekraft
clampig force
F 27...45 kN
Gewicht
weight
G
typ
850 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2




















Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
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3
Mabild / Outline drawing



26
+-
0
.
5
100 max
62,8
C
A
2 center holes
3.5 1.8
Technische Information / Technical Information
Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
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4
On-State Characteristics ( v
F
)
Upper limit of scatter range
T
vj
= 140
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
0
0,5
1
1,5
v
F
[V]
i
F
[A]
T
vj
= 160C
typ.
T
vj
= 160C
max.
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Umschwingdiode
Crow Bar Diode
D 2201N 45 T
BIP AC / 2002-09-11, Keller/Schneider
Release 3
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5
Transienter Wrmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
(th) JC
= f (t)
Doppelseitige Khlung / Two sided cooling
Beidseitig / both side
Kathodenseitig / cathode side
Anodenseitig / anode side
n
R
thn
[K/W]
n
[s]
R
thn
[K/W]
n
[s]
R
thn
[K/W]
n
[s]
1 0,00354 0,89646
0,01735
4,65326
0,01051 4,84218
2 0,00377 0,11809
-0,00024
0,74468
0,00039 0,25267
3 0,00156 0,02822
0,00426
0,11266
0,00462 0,08834
4 0,00093 0,00422
0,00130
0,02136
0,00116 0,00932
5 0,00025 0,00134
0,00093
0,00359
0,00063 0,00185
R
th
[K/W]
0,01 -
0,0236
-
0,0173 -
(
)
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
max
Z
th
= f (t)
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
both side
cathode side
anode side