Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 3501 N 32 ... 42 T
BIP AC /2003-01-29 Schneider / Keller
Release 4
Seite/page
N
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
= -40C ... T
vj max
f = 50Hz
V
RRM
T
vj min
= -40C
3200
3600
4000
4200
0C ...T
vj max
3300
3700
4100
4300
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
8300 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 100C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
3700
5300
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
70
56
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
25,5
*10
6
15,68 *10
6
A
2
s
A
2
s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 4000A
v
F
typ.
1,2
max.
1,27
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
i
F
= 4000A
V
(TO)
typ.
0,701
max.
0,734
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
0,126
max.
0,133
m
Durchlarechenkennlinie 1500 A
i
F
4000 A
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ.
0,599447
2,8982E-05
-0,023767
0,010879
max.
0,597789
3,1577E-05
-0,0195376
0,0111385
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
100 mA
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 1,5 kA, -di/dt = 5 A/s
V
R
= 1000V, V
RM
= 1800V,
C = 4,7F, R = 8,2
Q
r
7,2 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 1,5 kA, -di/dt = 5 A/s
V
R
= 1000V, V
RM
= 1800V,
C = 4,7F, R = 8,2
I
RM
200 A
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,0085
0,0149
0,0196
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,0025
0,005
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+160 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+160 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
76DN42
Anprekraft
clamping force
F 36...52 kN
Gewicht
weight
G
typ
1650 g
Kriechstrecke
creepage distance
40 mm
Luftstrecke
air distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Mabild /Outline
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Durchlakennlinie / On-State Characteristics i
F
= f( v
F
)
Limiting and typical on-state characteristic
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
v
F
[V]
i
F
[A]
T
vj
= 160C
typ.
T
vj
= 160C
max.
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Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
(th) JC
= f (t)
Double side
cooled
Cathode side
cooled
Anode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,00321
1,47207
0,01438
7,72917
0,00926
7,78435
2
0,00279
0,18563
-0,00013
1,20471
0,00025
0,66320
3
0,00159
0,04885
0,00324
0,18047
0,00371
0,14870
4
0,00076
0,00706
0,00136
0,04084
0,00101
0,02443
5
0,00018
0,00202
0,00074
0,00658
0,00065
0,00484
0,0085 -
0,0196
-
0,0149
-
Z
th
= f (t)
without heat sink
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
both side
cathode side
anode side
(
)
Z
R
e
thJC
thn
t
n
n
n
=
-
-
=
1
1
/
m ax
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Stostrom / Grenzlastintegral Charakteristik
Surge Current / I
2
t value Characteristics
I
FSM
= f ( t
p
) / i
2
dt = f ( t
p
)
Sine half-wave, T
vj
=160
C , v
R
= 0
1,E+04
1,E+05
1,E+06
0,1
1
10
100
Time / [ms]
_____ I
FSM
/ [A]
1,E+06
1,E+07
1,E+08
-----
idt / [As]
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Sperrverzgerungsladung / recovered charge
Q
r
= f ( - di/dt )
T
vj
= 160
C, I
TM
= 1500A,v
R
= 1000V, v
RM
= 1800V, C = 4,7F, R = 8,2
9
8
7
6
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
5
4
3
2
3 0
2 0
1 0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
-d i/d t [A / s ]
Q
r
[m A s ]
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8
Rckstromspitze / reverse recovery current
I
RM
= f (-di/dt)
T
vj
= 160
C, I
TM
= 1000A, v
R
= 1000V, v
RM
= 1800V, C = 4,7F, R = 8,2
0
50
100
150
200
250
300
350
400
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
-di/dt [A/s]
I
RM
[
A
]
PDF 
ZIP