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Электронный компонент: D368S-1200

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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S 10...14
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
1000
V
repetitive peak forward reverse voltage
1200
V
1400
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1100
V
non-repetitive peak reverse voltage
1300
V
1500
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
730
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100C
I
FAVM
368
A
mean forward current
T
C
=78C
465
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
6300
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
5200
A
T
vj
= 25C, tp = 1 ms
13290
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
10970
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
198450
As
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
135200
As
T
vj
= 25C, tp = 1ms
88310
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
60170
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1400 A
v
F
max.
2,25
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,8
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ
3,9
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ
4,1
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=1400A
di
F
/dt=50 A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
10
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
100
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
75
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=465A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
210
As
1)
recovered charge
i
FM
=465 A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100V, v
RM<
=200 V
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
3,45
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=465A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
=100 V; v
RM<
=200V
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
s/A
2)
Softness
i
FM
=A,-di
F
/dt=A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S 10...14
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,08
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,075
C/W
Anode / anode,
=180sin
max. 0,125
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,12
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max. 0,205
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,2
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,015
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,030
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 21mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
3,2...7,6
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
60
g
weight
Kriechstrecke
17
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
5x9,81
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S 10...14
S
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S10...14
S
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,00035
0,00965
0,0351
0,0299
two-sided
n
[s]
0,000089
0,0015
0,0542
0,497
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00035
0,00965
0,0402
0,0186
0,0512
anode-sided
n
[s]
0,000089 0,00151
0,0593
1,729
4,299
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,00031
0,00889
0,0369
0,0755
0,0784
cathode-sided
n
[s]
0,000084 0,00134
0,0526
1,951
4,856
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 368 S 10...14
S
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
250
500
750
1.000
1.250
1.500
1.750
2.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[A]