Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 371 S 45 T
HLB-M / 25.4.1996 Beuermann / Keller
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S
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C ... t
vj max
V
RRM
4500 V
Stospitzensperrspannung
non-repetetive peak reverse voltage
t
vj
= +25C ... t
vj max
V
RSM
4600 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
800 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 51C, f = 50Hz
I
FAVM
330
510
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
6000 A
Grenzlastintegral
I
2
t-value
I
2
t
1,8.
-
10
5
A
2
s
Period. Abklingsteilheit des Durchlastroms beim Ausschalten
repetitive decay rate of on-state current at turn-of
i
FM
= 1000A, v
R
= 1500 V
(-di
F
/dt)
com
1000 A/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 1200A
v
F
max
3,90 V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
2,00 V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
1,49 m
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
peak value of forward recovery voltage
t
vj
= t
vj max
, di
F
/dt = 1000A/s
V
FRM
typ.150 V
2)
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
100 mA
2)
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/s
v
R
= 1000V, C
S
=0,125F, R
S
= 6
I
RM
max 500 A
2)
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
i
FM
= 1000A, -di
F
/dt = 250A/s
v
R
= 1000V, C
S
=0,125F, R
S
= 6
Q
r
max 1250 As
3)
2) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range ( standard value)
3) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze von V
T
/ Lower limit of scatter range ( standard value) of on - state voltage
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,035
0,070
0,070
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,006
0,012
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Anprekraft
clampig force
F
10...16 kN
Gewicht
weight
G
typ
250 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Outline Drawing
26
+-0.5
C
A
58
+0.2/-0.8
34
- 0.1
2 center holes
3.5
4.0
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