Technische Information / Technical Information
Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 4201 N 16 ... 22 T
SZ AM /3.11.1999 Beuermann / Keller
Seite/page
N
1
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C ... t
vj max
f = 50Hz
V
RRM
1600
1800
2000
2200
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
10350 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 100C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
4650
6600
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
88
73,5
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
38,7
-
10
6
27,0
-
10
6
A
2
s
A
2
s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 4000A
v
F
max
1,0 V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
typ
0,62
max
0,7
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
typ
0,069
max
0,075 m
?
Durchlarechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D
i
F
F
F
F
= +
?
+
?
+
+
?
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ.
0,480
-0,0000204
-0,00859
0,0090
Durchlarechenkennlinie
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D
i
F
F
F
F
= +
?
+
?
+
+
?
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
max.
0,600
-0,0000249
-0,0219
0,0108
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
200 mA
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
FM
= 1500A, -di/dt = 5 A/s
v
R
= 0,5 V
RRM
, C = 4,7F, R = 8,2
?
Q
r
max
1,75 mAs
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Netz Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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1
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,0085
0,016
0,018
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,0025
0,005
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+160 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+160 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
75DN22
Anprekraft
clamping force
F
36...52 kN
Gewicht
weight
G
typ
1700 g
Kriechstrecke
creepage distance
40 mm
Luftstrecke
air distance
30 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Outline Drawing
35
+-
0
.
5
C
A
?
?
?
?
120
-3.0
?
?
?
?
75
2 center holes
?
?
?
?
3.5
4.5
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On-State Characteristics ( v
F
)
typical and limiting on state charcteristic
__t
vj
= 160
C
....t
vj
= 25
C
typ.
160C
max.
160C
typ.
25C
max.
25C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
0,5
0,6
0,7
0,8
0,9
1
1,1
1,2
1,3
1,4
1,5
V
F
/ [V]
I
F
/ [ A ]
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Transient thermal Impedance for constant-current
Double side
cooled
Anode side
cooled
Cathode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,002
1,84
0,0095
11,5
0,0115
11,7
2
0,003
0,24
0,003
0,24
0,003
0,24
3
0,0022
0,071
0,0022
0,071
0,0022
0,071
4
0,0009
0,0097
0,0009
0,0097
0,0009
0,0097
5
0,0004
0,0018
0,0004
0,0018
0,0004
0,0018
?
0,085
-
0,016
-
0,018
-
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z (th) JC / [K/W]
d
k
a
PDF 
ZIP