Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 438 S 16...20
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1600
V
repetitive peak forward reverse voltage
1800
V
2000
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1700
V
non-repetitive peak reverse voltage
1900
V
2100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
740
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100C
I
FAVM
440
A
mean forward current
T
C
=95C
470
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
6400
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
5300
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
205000
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
140500
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1400 A
v
F
max.
2,3
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1,14
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,725
m
forward slope resistance
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
53
V
1)
peak value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=500A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
1,9
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt=500A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
10
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
150
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
720
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=760A,-di
F
/dt=500A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
1130
As
1)
recovered charge
i
FM
=760A,-di
F
/dt=500A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
2,8
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=760A,-di
F
/dt=500A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
0,0012
s/A
2)
Softness
i
FM
=760A,-di
F
/dt=500A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
SZ-M / 18.03.95 , R.Jrke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 438 S 16...20
S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,059
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,054
C/W
Anode / anode,
=180sin
max.
0,100
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,095
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max.
0,130
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,125
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,012
C/W
einseitig / single-sided
max.
0,024
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 25mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
4,8...11,4
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
75
g
weight
Kriechstrecke
25
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks: K0,12F ; K0,17F ; K0,22F ; K0,36S ; K0,65S
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
SZ-M / 18.05.95 , R.Jrke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 438 S 16...20
S
SZ-M / 19.05.95 , R.Jrke
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Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 438 S 16...20
S
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,000136
0,004734
0,00523
0,0229
0,021
two-sided
n
[s]
0,000105
0,00137
0,00979
0,105
0,531
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000136
0,004744
0,00544
0,0272
0,00954
anode-sided
n
[s]
0,000105
0,00138
0,0103
0,117
2,43
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000136
0,004744
0,00496
0,02426
0,0409
cathode-sided
n
[s]
0,000105
0,00138
0,00956
0,105
1,77
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
SZ-M / 18.05.95 , R.Jrke
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0,05
3,11
0,04794
3,29
Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 438 S 16...20
S
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
SZ-M / 16.05.95 , R.Jrke
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0
200
400
600
800
1.000
1.200
1.400
1.600
1.800
2.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
F
[V]
i
F
[A]
PDF 
ZIP