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Электронный компонент: D471N

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Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 471N 90T
BIP AC / 2001-11-05, Schneider / Keller
Release 3.1
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 160C mit 50Hz
Full blocking capability at 160C with 50Hz
Hohe Stostrme und niedriger
Wrmewiderstand durch NTV-Verbindung
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe
High surge currents and low thermal
resistance by using low temperature-
connection NTV between silicon wafer and
molybdenum
Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
f = 50Hz
V
RRM
T
vj min
= -40
8000
8500
9000
T
vj min
= 0C
8200
8750
9250

V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
T
c
= 60C. f = 50Hz
I
FRMSM
1200 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
565
760
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
11
10
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 605
*10
3
500 *10
3
A
2
s
A
2
s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties

Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200A
V
F
typ.
3,0
max.
3,2

V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
0,96
max.
1,04

V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
1,7
max.
1,78

m
Durchlarechenkennlinie
400 A
i
F
1200 A
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max

A
B
C
D
typ.
0.8229331
0.00116612
-0.051836
0.033129
max.
0.72826
0.0011047
-0.034636
0.039665
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
50 mA
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
6 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
I
FM
= 1000A, -di/dt = 10A/s,
v
R
= 1000V, v
RM
= 1600V
R
= 68
, C
= 0,33F, T
vj
= T
vj
max
I
RM
200 A
Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 471N 90T
BIP AC / 2001-11-05, Schneider / Keller
Release 3.1
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N
2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC

max
max
max
0,028
0,051
0,062

C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK

max
max
0,006
0,012

C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
38DN90
Anprekraft
clampig force
F 10...16 kN
Gewicht
weight
G
typ
250 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 471N 90T
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3
Mabild / Outline drawing




26
+-
0
.
5
C
A
58
+0.2/-0.8
34
2 center holes
 3.5 4.0
Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 471N 90T
BIP AC / 2001-11-05, Schneider / Keller
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4
Durchlakennlinie / On-state characteristics i
F
= f( V
F
)
Limiting and typical on-state characteristic
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
1400
1500
1600
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
V
F
[V]
I
F
[A]
Technische Information / Technical Information
Netz
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Rectifier Diode
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5
Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
(th)JC
= f (t)

Double side
cooled
Cathode side
cooled
Anode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,01240
0,66650
0,03302
4,33667
0,04336
3,36678
2
0,00744
0,10011
0,00310
0,39638
0,00165
0,21238
3
0,00589
0,01639
0,00858
0,08978
0,00979
0,07317
4
0,00226
0,00448
0,00596
0,01218
0,00608
0,00812
5
0,00000
0,01764
0,00133
0,00369
0,00012
0,01323
0,028 -
0,051
-
0,062
-
(
)
-
-
=
n
t
n
th
JC
th
n
e
R
t
Z
/
1
)
(
-0,005
0,005
0,015
0,025
0,035
0,045
0,055
0,065
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z
(th
)
JC
/
[K
/
W
]
d
k
a
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Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
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BIP AC / 2001-11-05, Schneider / Keller
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Stostrom / Grenzlastintegral Charakteristik
Surge Current / It value Characteristics
I
FSM
= f ( t
p
) / i
2
dt = f ( t
p
)
Sine half-wave, T
vj
=160
C , v
R
= 0





1,E+03
1,E+04
1,E+05
0,1
1
10
100
Time / [ms]
_____ I
FSM
/ [A]
1,E+04
1,E+05
1,E+06
-----
idt /
Technische Information / Technical Information
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Rectifier Diode
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7
Sperrverzgerungsladung / recovered charge
Q
r
= f ( - di/dt )

T
vj
= 160
C, I
FM
= 1000A, RC = 0,33F / 68
, v
R
= 1000 V, v
RM
= 1600V
9
8
7
6
5 0
4 0
3 0
2 0
1 0
5
4
3
2
3 0
2 0
1 0
9
8
7
6
5
4
3
2
1
-d i /d t [A / s ]
Q
r
[m A s ]
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8
Rckstromspitze / reverse recovery current
I
RM
= f ( - di/dt )

T
vj
= 160
C, I
FM
= 1000A, RC = 0,33F / 68
, v
R
= 1000 V, v
RM
= 1600V
0
25
50
75
100
125
150
175
200
225
250
275
0
2
4
6
8
10
12
14
16
-di/dt [A/s]
I
RM
[A]