European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
Type
S
U
Circuit symbol
Cathode
Connection pin
Case
Anode
Case
Connection pin
Marketing Information
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
Ma 1-BE / 23 Jun 1993
15
SW27
5,5
M12
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 56 S 40...45
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
t
vj
= -10C...t
vj
max
V
RRM
4000 V
repetitive peak reverse voltage
4500 V
Stospitzensperrspannung
t
vj
= +25C...t
vj
max
V
RSM
4100 V
non-repetitive peak reverse voltage
4600 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
I
FRMSM
160 A
Dauergrenzstrom / mean forward current
t
C
= 85C
I
FAVM
56 A
t
C
= 28C
102 A
Stostrom-Grenzwert
t
vj
= 25C, t
p
=10 ms
I
FSM
1550 A
surge forward current
t
vj
= t
vj
max,
t
p
= 10 ms
1350 A
Grenzlastintegral
t
vj
= 25C, t
p
=10 ms
It
12000 As
It-value
t
vj
= t
vj
max,
t
p
= 10 ms
9100 As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung / forward voltage
t
vj
= t
vj
max
, i
F
= 320 A
V
F
max. 4,5 V
Schleusenspannung / threshold voltage
t
vj
= t
vj
max
V
(TO)
1,64 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
t
vj
= t
vj
max
r
T
8 m
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
200 V
1)
peak value of forward recovery voltage
t
vj
= t
vj
max
di
F
/dt = 200 A/s v
R
= 0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
4 s
1)
forward recovery time
t
vj
=t
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt = 200 A/s v
R
= 0V
Sperrstrom / reverse current
t
vj
= t
vj
25C, v
R
= V
RRM
i
R
max. 5 mA
t
vj
= t
vj
max
, v
R
= V
RRM
max. 50 mA
Rckstromspitze / peak reverse recovery current
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
I
RM
230 A
1)
i
FM
=150A, -di
F
/dt=200A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj max
Q
r
550 As
1)
recovered charge
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
t
rr
3,3 s
1)
reverse recovered time
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sanftheit
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
SR
0,004 s/A
2)
Softness
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
Anode / anode,
=180sin
max. 0,260 C/W
Anode / anode, DC
max. 0,245 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
max. 0,04 C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sided
Hchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat.
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur / operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur / storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact
Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque
M
20 Nm
Gewicht / weight
G
typ. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance
21 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Khlkrper / heatsink : K1, 1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1)
Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 56 U 40...45
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
t
vj
= -10C...t
vj
max
V
RRM
4000 V
repetitive peak reverse voltage
4500 V
Stospitzensperrspannung
t
vj
= +25C...t
vj
max
V
RSM
4100 V
non-repetitive peak reverse voltage
4600 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert / RMS forward current
I
FRMSM
140 A
Dauergrenzstrom / mean forward current
t
C
= 73C
I
FAVM
56 A
t
C
= 22C
89 A
Stostrom-Grenzwert
t
vj
= 25C, t
p
=10 ms
I
FSM
1350 A
surge forward current
t
vj
= t
vj
max
,t
p
= 10 ms
1200 A
Grenzlastintegral
t
vj
= 25C, t
p
=10 ms
It
9100 As
It-value
t
vj
= t
vj
max
,t
p
= 10 ms
7200 As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung / forward voltage
t
vj
= t
vj
max
, i
F
= 280 A
V
F
max. 4,15 V
Schleusenspannung / threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
1,64 V
Ersatzwiderstand / forward slope resistance
t
vj
= t
vj
max
r
T
8 m
Spitzenwert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
200 V
1)
peak value of forward recovery voltage
t
vj
= t
vj
max
di
F
/dt = 200 A/s v
R
= 0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
4 s
1)
forward recovery time
t
vj
=t
vj max,
i
FM
=di
F
/dt*t
fr
di
F
/dt = 200 A/s v
R
= 0V
Sperrstrom / reverse current
t
vj
= t
vj
25C, v
R
= V
RRM
i
R
max. 5 mA
t
vj
= t
vj
max
, v
R
= V
RRM
max. 50 mA
Rckstromspitze / peak reverse recovery current
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
I
RM
230 A
1)
i
FM
=150A, -di
F
/dt=200A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
Q
r
550 As
1)
recovered charge
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
t
rr
3,3 s
1)
reverse recovered time
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Sanftheit
DIN IEC 747-2, t
Vj
=t
Vj
max
SR
0,004 s/A
2)
Softness
i
FM
= 150A, -di
F
/dt = 200 A/s
V
R
=0,5V
RRM
, v
RM
=0,8V
RRM
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resistance, junction to case
Anode / anode,
=180sin
max. 0,340 C/W
Anode / anode, DC
max. 0,325 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
max. 0,04 C/W
thermal resistance, case to heatsink
einseitig / single-sided
Hchstzul. Sperrschichttemp./ max.junction temperat.
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur / operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur / storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Si-Elemente mit Druckkontakt / Si-pellets with pressure contact
Durchmesser/diameter 21mm
Anzugsdrehmoment / tightening torque
M
20 Nm
Gewicht / weight
G
typ. 110 g
Kriechstrecke / creepage distance
21 mm
Feuchteklasse / humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit / vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
Khlkrper / heatsink : K1,1-M12-A ; K0,55-M12-A ; GK-M12-A
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the
belonging technical notes.
1)
Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2)
Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
MA 1-BE / 12 Jul 1993
D 56 S 40...45
D 56 U 40...45
Grenzdurchlakennlinien t
Vj
=
125C
Richtwert fr obere Streubereichsgrenze
Richtwert fr untere Streubereichsgrenze
Limiting on-state characteristics tVj =
125C
Upper limit of scatter range (standard value)
Lower limit of scatter range (standard value)
350
300
250
200
150
100
50
0
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
4,5
5
V
F
/ [V]
I
F
/ [A]
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