Technische Information / Technical Information
Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
D 690 S 20...26
S
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 25C...T
vj max
V
RRM
2000
V
repetitive peak forward reverse voltage
2200
V
2400
2600
V
Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
2100
V
non-repetitive peak reverse voltage
2300
V
2500
2700
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
FRMSM
1600
A
RMS forward current
Dauergrenzstrom
T
C
=100C
I
FAVM
690
A
mean forward current
T
C
=60C
1020
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, tp = 10 ms
I
FSM
14000
A
surge foward current
T
vj
= T
vj max
, tp = 10 ms
11500
A
T
vj
= 25C, tp = 1 ms
33400
A
T
vj
= T
vj max
, tp = 1 ms
27500
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, tp = 10ms
It
980000
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, tp = 10ms
661250
As
T
vj
= 25C, tp = 1ms
557780
As
T
vj
= T
vj max
, tp = 1ms
378125
As
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 3000 A
v
F
max.
2,7
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
1
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,5
m
forward slope resistance
Typischer Wert der Durchlaverzgerungsspannung
IEC 747-2
V
FRM
typ.
16,5
V
1)
typical value of forward recovery voltage
T
vj
= T
vj max
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Durchlaverzgerungszeit
IEC 747-2, Methode / method II
t
fr
typ.
6,2
s
1)
forward recovery time
T
vj
= T
vj max,
i
FM
=3000A
di
F
/dt=50A/s, v
R
=0V
Sperrstrom
T
vj
= 25C, v
R
=V
RRM
i
R
max.
25
mA
reverse current
T
vj
= T
vj max
, v
R
= V
RRM
max.
250
mA
Rckstromspitze
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
I
RM
155
A
1)
peak reverse recovery current
i
FM
=1020A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungsladung
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
Q
r
970
As
1)
recovered charge
i
FM
=1020A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sperrverzgerungszeit
DIN IEC 747-2, T
vj
=T
vj max
t
rr
9
s
1)
reverse recovered time
i
FM
=1020A,-di
F
/dt=50A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
Sanftheit
T
vj
= T
vj max
SR
s/A
2)
Softness
i
FM
=760A,-di
F
/dt=500A/s
v
R
<=0,5 V
RRM
, v
RM
=0,8 V
RRM
1) Richtwert fr obere Streubereichsgrenze / Upper limit of scatter range (standard value)
2) Richtwert fr untere Streubereichsgrenze / Lower limit of scatter range (standard value)
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Schnelle Gleichrichterdiode
Fast Diode
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S
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided,
=180sin
max.
0,039
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max.
0,036
C/W
Anode / anode,
=180sin
max.
0,063
C/W
Anode / anode, DC
max.
0,060
C/W
Kathode / cathode,
=180sin
max.
0,093
C/W
Kathode / cathode, DC
max.
0,090
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thCK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max.
0,005
C/W
einseitig / single-sided
max.
0,010
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Durchmesser/diameter 38mm
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
10...24
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
300
g
weight
Kriechstrecke
28
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
5x9,81
m/s
vibration resistance
Khlkrper / heatsinks: K0,05F ; K0,08F ; 2K0,024W
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W]
0,000044
0,00331
0,003256
0,015
0,01439
two-sided
n
[s]
0,000141
0,00238
0,0234
0,164
1,14
anodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000052
0,003458
0,00658
0,0156
0,03431
anode-sided
n
[s]
0,000161
0,00247
0,0433
0,261
6,29
kathodenseitig
R
thn
[C/W]
0,000048
0,0034
0,004162
0,0145
0,0153
cathode-sided
n
[s]
0,000151
0,00243
0,0315
0,17
4,56
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
F
=f(v
F
)
T
vj
= T
vj max
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0
500
1.000
1.500
2.000
2.500
3.000
3.500
4.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
v
F
[V]
i
F
[A]
PDF 
ZIP