Technische Information / Technical Information
Netz
Gleichrichterdiode
Rectifier Diode
D 711N 58 ... 68T
BIP AC / 2001-11-06, Schneider / Keller
Release 3.1
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 160C mit 50Hz
Full blocking capability at 160C with 50Hz
Elektroaktive Passivierung durch a-C:H
Electroactive passivation by a-C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
f = 50Hz
V
RRM
T
vj min
= -40C
5800
6000
6500
6800
T
vj min
= 0C
6000
6200
6700
7000
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
T
c
= 60C. f = 50Hz
I
FRMSM
1660 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
FAVM
780
1050
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
FSM
12,5
10,5
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 781*10
3
551*10
3
A
2
s
A
2
s
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
forward voltage
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 1200A
V
F
typ.
1,77
max.
1,9
V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
typ.
0,79
max.
0,84
V
Ersatzwiderstand
forward slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
typ.
0,81
Max.
0,87
m
Durchlarechenkennlinie
400 A
i
F
1200 A
On-state characteristics for calculation
(
)
V
A B i
C
i
D i
F
F
F
F
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ.
0,699699
0,0004383
-0,03799278
0,023406
max.
0,7487
0,000496
-0,0406497
0,025038
Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max,
v
R
= V
RRM
i
R
50 mA
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
Q
r
5,5 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
I
FM
= 1000A, -di/dt = 10A/s,
v
R
= 1000V, v
RM
= 1600V
R
= 80
, C
= 0,25F, T
vj
= T
vj max
I
RM
200 A
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2
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided, DC
Anode / anode, DC
Kathode /cathode, DC
R
thJC
max
max
max
0,028
0,051
0,062
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
Khlflche / cooling surface
beidseitig / two-sided
einseitig / single sided
R
thCK
max
max
0,006
0,012
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
160 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+160 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+160 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
3
Si - Element mit Druckkontakt
Si - pellet with pressure contact
38DN65
Anprekraft
clampig force
F 10...16 kN
Gewicht
weight
G
typ
250 g
Kriechstrecke
creepage distance
30 mm
Luftstrecke
air distance
20 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes
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3
Mabild / Outline drawing
26
+-
0
.
5
C
A
58
+0.2/-0.8
34
2 center holes
3.5 4.0
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4
Durchlakennlinie / On-state characteristics i
F
= f( V
F
)
Limiting and typical on-state characteristic
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
0
0,5
1
1,5
2
2,5
V
F
[V]
i
F
[A]
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Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal Impedance Z
(th)JC
= f (t)
Double side
cooled
Cathode side
cooled
Anode side
cooled
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1
0,01240
0,66650
0,03302
4,33667
0,04336
3,36678
2
0,00744
0,10011
0,00310
0,39638
0,00165
0,21238
3
0,00589
0,01639
0,00858
0,08978
0,00979
0,07317
4
0,00226
0,00448
0,00596
0,01218
0,00608
0,00812
5
0,00000
0,01764
0,00133
0,00369
0,00012
0,01323
0,028 -
0,051
-
0,062
-
(
)
-
-
=
n
t
n
th
JC
th
n
e
R
t
Z
/
1
)
(
-0,005
0,005
0,015
0,025
0,035
0,045
0,055
0,065
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z
(th
)
JC
/
[K
/
W
]
d
k
a
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ZIP