Leistungsgleichrichterdioden
Power Rectifier Diodes
D 798 N
VW K July 1996
Kath ode
C athode
A nod e
beid seitig / on both s ides
30
30
2
3,5
x 2 tief / depth
+0.1
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
D 798 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
t
vj
= -40C... t
vj max
V
RRM
800, 1200
V
1400, 1800
V
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25C... t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
FRMSM
1650
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
c
= 130 C
I
FAVM
800
A
t
c
= 106 C
1050
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
FSM
14,8
kA
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
11,8
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
2
t
1095
kA
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
696
kA
2
s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
F
= 3,2 kA
V
T
max. 1,77
V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,81
V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
0,28
m
Sperrstrom
reverse current
t
vj
= t
vj max
, V
R
= V
RRM
i
R
max. 50
mA
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Widerstand
thermal resistance, junction
beidseitig/two-sided,
=180 sin
R
thJC
max. 0,0460
C/W
to case
beidseitig/two sided, DC
max. 0,0415
C/W
Anode/anode,
=180 sin
max. 0,0755
C/W
Anode/anode, DC
max. 0,0710
C/W
Kathode/cathode,
=180 sin
max. 0,1045
C/W
Kathode/cathode, DC
max. 0,1000
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance,case to heatsink beidseitig /two-sided
R
thCK
max. 0,0075
C/W
einseitig /single-sided
max. 0,0150
C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
180
C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+150
C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150
C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
= 30 mm
Anprekraft
clamping force
Gehuseform/case design T
F
6...15
kN
Gewicht
weight
G
typ. 110
g
Kriechstrecke
creepage distance
25
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50
m/s
2
Mabild
outline
Seite/page
0
0
0,5
1,0
1,5
2,0
D79 8N_ 1
2,5
5
4
3
2
1
0
1
2
3
4
5
6
D7 98N_4
0
0,1
0,2
0,3
D798N_5
1a
1b
2a
1c
2b
2c
0
0,1
0,2
0,3
1a
2a
1b
1c
2b
2c
D798N_6
14
12
10
8
6
4
2
0
1,0
0,9
0,8
0,7
0,6
0,5
0,4
16
14
12
10
8
6
4
7
8
9
10
[kA]
I
F(0V)M
I
F(0V)M
[kA]
(normiert)
idt
I
F(0V)M
v
R
I
F(0V)M
v
R
t [s]
v
F
[V]
t [s]
[kA]
i
F
t
[m s]
p
Bild / Fig. 2
Normiertes Grenzlastintegral / Normalized it
idt = f(t
p
)
t
vj
= 180 C
t
vj
= 25 C
Bild/Fig. 1
Grenzdurchlakennlinie
Limiting forward characteristic i
F
= f (v
F
)
Bild / Fig. 3
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A;
t
vj
= t
C
= 25 C
2 - I
FAV(vor)
= 800 A;
t
C
= 130 C; t
vj
= 180 C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
Bild / Fig. 4
Grenzstrom / Maximum overload forward current I
F(0V)M
= f(t)
1 - I
FAV(vor)
= 0 A;
t
vj
= t
C
= 25 C
2 - I
FAV(vor)
= 800 A;
t
C
= 130 C; t
vj
= 180 C
a - v
R
50 V
b - v
R
= 0,5 V
RRM
c - v
R
= 0,8 V
RRM
D 798 N
0
30
60
90
120
150
180
0,04
0,02
0,03
0,01
D798 N_3
10
3
10
2
D7 98N_7
1
10
100
0,1
400
200
100
50
9
8
7
6
5
4
3
2
9
8
7
6
5
4
3
2
1600
800
i
FM
[A]
0
D798N_2
1
2
3
0,12
0,10
0,08
0,06
0,04
0,02
10
-3
10
-2
10
-1
10
0
10
1
10
2
10
4
T
T
[
As]
Q
r
Z
(th)JC
[C/W]
[C/W ]
thJC
R
-di
F
/dt [A/
s]
t [s]
[el]
T
Bild / Fig. 5
Differenz zwischen den W rmewiderstnden
fr Pulsstrom und DC
Difference between the values of thermal resistance for
pulse current and DC
Parameter: Stromkurvenform / Current waveform
Bild / Fig. 6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di
F
/dt)
t
vj =
t
vjmax
; v
R
0,5 V
RRM
; V
RM
= 0,8 V
RRM
Beschaltung / Snubber: C = 0,68 F; R = 5,6
Parameter: Durchlastrom / Forward current i
FM
n
max
n=1
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJ C
for C
Bild / Fig. 7
Transienter innerer W rmewiderstand
Transient thermal impedance Z
thJC
= f(t), DC
1 - Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Khlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Khlung / Cathode-sided cooling
Z
thJC
=
R
thn
(1-EXP(-t/
n
))
D 798 N
Khlg.
Cooling
Pos.
n
R
thn
C/W
n
[s]
R
thn
C/W
n
[s]
R
thn
C/W
n
[s]
1
2
3
1
2
3
4
5
6
7
1 - Beidseitige Khlung / Two-sided cooling
2 - Anodenseitige Khlung / Anode-sided cooling
3 - Kathodenseitige Khlung / Cathode-sided cooling
0,00031
0,000136
0,0006
0,000232
0,000598
0,000234
0,00579
0,00233
0,0055
0,002548
0,005532
0,00257
0,0114
0,0462
0,0055
0,027467
0,00457
0,0278
0,024
0,298
0,0223
0,152979
0,0184
0,118
0,0371
3,870018
0,0709
2,822
Analytische Funktion / Analytical function
PDF 
ZIP