Technische Information / Technical Information
Dioden-Module
Diode-Modules
DD 600 S 65 K1
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
T
vj
=125C
T
vj
=25C
T
vj
=-40C
V
CES
6500
6300
5800
V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
600
A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
P
= 1 ms
I
FRM
1200
A
Grenzlastintegral der Diode
I
2
t - value, Diode
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
Vj
= 125C
I
2
t
165
k A
2
s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
V
ISOL
10,2
kV
Teilentladungs Aussetzspannung
partial discharge extinction voltage
RMS, f = 50 Hz, Q
PD
typ. 10pC (acc. To IEC 1287)
V
ISOL
5,1
kV
Charakteristische Werte / Characteristic values
min.
typ.
max.
Durchlaspannung
I
F
= 600A, T
vj
= 25C
V
F
3,0
3,8
4,6
V
forward voltage
I
F
= 600A, T
vj
= 125C
3,9
4,7
V
Sperrstrom
V
R
= 6300V, T
vj
= 25C
I
R
-
0,2
-
mA
reverse current
V
R
= 6500V, T
vj
= 125C
-
20
-
mA
Rckstromspitze
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 2000A/s
peak reverse recovery current
V
R
= 3600V, T
vj
= 25C
I
RM
-
800
-
A
V
R
= 3600V, T
vj
= 125C
-
1000
-
A
Sperrverzgerungsladung
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 2000A/s
recovered charge
V
R
= 3600V, T
vj
= 25C
Q
r
-
550
-
C
V
R
= 3600V, T
vj
= 125C
-
1050
-
C
Abschaltenergie pro Puls
I
F
= 600A, - di
F
/dt = 2000A/s
reverse recovery energy
V
R
= 3600V, T
vj
= 25C
E
rec
-
660
-
mJ
V
R
= 3600V, T
vj
= 125C
-
1600
-
mJ
Modulinduktivitt
stray inductance module
pro Zweig / per arm
L
sCE
-
25
-
nH
Modulleitungswiderstand, Anschlsse - Chip
module lead resistance, terminals - chip
pro Zweig / per arm
R
CC+EE
-
0,37
-
m
prepared by: Dr. Oliver Schilling
date of publication: 2002-07-05
approved by: Dr. Schtze 2002-07-05
revision/Status: Series 1
1
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Dioden-Module
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
min.
typ.
max.
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
Diode/Diode, DC
R
thJC
-
-
0,021
K/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
Paste
1 W/m*K /
grease
1 W/m*K
R
thCK
-
0,008
-
K/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj, max
-
-
150
C
Betriebstemperatur Sperrschicht
junction operation temperature
Schaltvorgnge Diode(SOA)
switching operation Diode(SOA)
T
vj,op
-40
-
125
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40
-
125
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Kriechstrecke
creepage distance
56
mm
Luftstrecke
clearance
26
mm
CTI
comperative tracking index
>600
Anzugsdrehmoment f. mech. Befestigung
Schraube /screw M6
M
5
Nm
mounting torque
Anzugsdrehmoment f. elektr. Anschlsse
terminal connection torque
Anschlsse / terminals M8
M
8 - 10
Nm
Gewicht
weight
G
1000
g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert.
Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is
valid in combination with the belonging technical notes.
2
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Dioden-Module
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I
F
[A
]
V
F
[V]
I
R
[A
]
V
R
[V] (at auxiliary terminals)
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
1000
1100
1200
1300
0,0
1,0
2,0
3,0
4,0
5,0
6,0
7,0
25C
125C
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch) I
F
= f (V
F
)
Forward characteristic of inverse diode (typical)
0
200
400
600
800
1000
1200
0
1000
2000
3000
4000
5000
6000
Sicherer Arbeitsbereich Diode (SOA)
safe operation area Diode (SOA)
P
max
= 1800kW ;
T
vj
= 125C
3
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Dioden-Module
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t [s]
i
1
2
3
4
r
i
[K/kW]
: Diode
9,45
5,25
1,26
5,04
i
[s]
: Diode
0,030
0,10
0,30
1,0
Z
th
JC
[K
/ W
]
0,001
0,01
0,1
0,001
0,01
0,1
1
10
100
Zth:Diode
Transienter Wrmewiderstand Z
thJC
= f (t)
Transient thermal impedance
4
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uere Abmessungen /
extenal dimensions
Anschlsse / Terminals
1
--
2
--
3
--
4,6
Anode / anode
5,7
Kathode / cathode
5
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