Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 104 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1600
V
repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
FRMSM
60
A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100C
I
d
105
A
output current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
FSM
650
A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
550
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
2100
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1500
As
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V
CES
1200
V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
C
50
A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
CRM
100
A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25C
P
tot
350
W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
V
GE
20
V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
1200
V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
F
25
A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
FRM
50
A
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
2,5
kV
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode / Rectifierdiode
min. typ. max.
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
v
F
1,30
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
5,5
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
5
mA
reverse current
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
T
C
= 25C
R
AA`+KK`
1
m
lead resistance, terminals-chip
prepared by: Ralf Jrke
date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber
revision: 1
BIP AM; R. Jrke
14. Dez 00
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
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Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
IGBT
min. typ.
max.
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
v
CE sat
2,10
2,80
V
collector-emitter saturation voltage
T
vj
= 125C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
2,5
Gate-Emitter-Schwellspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE
v
GE(TO)
4,5 5,5
6,5
V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazitt
T
vj
= 25C, f
0
= 1MHz,
C
ies
3,3
nF
input capacitance
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
i
CES
0,8
1
mA
collector-emitter cut-off current
T
vj
= 125C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
4,0
Gate-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
i
GES
500
nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
i
EGS
500
nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaspannung
T
vj
= 25C, i
F
= 25A
v
F
1,7
2,20
V
forward voltage
T
vj
= 125C, i
F
= 25A
1,6
Sperrverzgerungsladung
i
FM
= 25A, -di/dt = 800A/s, v
R
= 600V
Q
r
recovered charge
T
vj
= 25C
2,3
As
T
vj
= 125C
6,0
As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier,
= 120rect
R
thJC
max.
1,08
C/W
Transistor / Transistor, DC
max.
0,38
C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC
max.
1,00
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier
R
thCK
max.
0,25
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor
max.
0,24
C/W
Schnelle Diode / Fast diode
max.
0,30
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+150
C
storage temperature
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Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
CTI
225
V
comperative tracking index
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
4
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
185
g
weight
Kriechstrecke
12,5
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
T
C
= 25C
R
25
5
k
rated resistance
R
100
= 493
5%
Verlustleistung
T
C
= 25C
P
25
max.
20
mW
power dissipation
B-Wert
R
2
= R
1
exp [B(1/T
1
- 1/T
2
)]
B
25/50
3375
K
B-value
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC, Netz-Diode
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC, rectifier diode
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,4063
0,3034
0,0497
0,0309
0,0300
0,0190
0,0140
0,0003
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Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
[
]
R
C W
thn
/
[ ]
n
s
=
-
-
=
max
1
1
:
n
n
t
thn
thJC
n
e
R
Z
Funktion
e
Analytisch
PDF 
ZIP