Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 84 N 12...16 RR
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Preliminary data
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Netz-Diode / Rectifier diode
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1200, 1400
V
repetitive peak reverse voltage
1600
Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
FRMSM
60
A
RMS forward current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 100C
I
d
85
A
output current
T
C
= 84C
104
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
S
= 10ms
I
FSM
650
A
surge forward current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
550
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
S
= 10ms
It
2100
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1500
As
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V
CES
1200
V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
I
C
50
A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
CRM
100
A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25C
P
tot
350
W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
V
GE
20
V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Dauergleichstrom
I
F
25
A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
FRM
50
A
repetitive peak forward current
Modul
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
2,5
kV
insulation test voltage
Charakteristische Werte / Characteristic values
Netz-Diode / Rectifier diode
min.
typ. max.
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 100A
v
F
1,55
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
5,5
m
forward slope resistance
Sperrstrom
T
vj
= T
vj max,
v
R =
V
RRM
i
R
5
mA
reverse current
IGBT
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 50A, v
GE
= 20V
v
CE sat
2,5
3,2
V
collector-emitter saturation voltage
T
vj
= 125C, i
C
= 50A, v
GE
= 20V
3,1
Gate-Emitter-Schwellspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE
v
GE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
gate-emitter threshold voltage
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Technische Information / Technical Information
Dioden-Modul mit Chopper-IGBT
Diode Module with Chopper-IGBT
DD B6U 84 N 12...16 RR
Vorlufige Daten
Preliminary data
IGBT
min. typ. max.
Eingangskapazitt
T
vj
= 25C, f
0
= 1MHz,
C
ies
3,3
nF
input capacitance
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
i
CES
0,8
1
mA
collector-emitter cut-off current
T
vj
= 125C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
4,0
Gate-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
i
GES
500
nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
i
EGS
500
nA
gate-leakage current
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaspannung
T
vj
= 25C, i
F
= 25A
v
F
2,3
2,9
V
forward voltage
T
vj
= 125C, i
F
= 25A
1,8
Sperrverzgerungsladung
i
FM
= 25A, -di/dt = 800A/s, v
R
= 600V
Q
r
recovered charge
T
vj
= 25C
2,3
As
T
vj
= 125C
6,0
As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Netz-Diode / Rectifier diode,
= 120rect
R
thJC
max. 1,45
C/W
thermal resistance, junction to case
Transistor / Transistor, DC
max. 0,38
C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC
max. 1,00
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Netz-Diode / Rectifier diode
R
thCK
max. 0,25
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor
max. 0,24
C/W
Schnelle Diode / Fast diode
max. 0,30
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
150
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+150
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
4
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
185
g
weight
Kriechstrecke
12,5
mm
creepage distance
Khlkrper / heatsinks :
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
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