ChipFind - документация

Электронный компонент: FS225R12KE3

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I
C, nom
225
A
I
C
325
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2,0
t.b.d.
V
nF
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
ies
16
-
-
gate threshold voltage
V
GE(th)
V
GES
revision: 2.0
Kollektor Emitter Reststrom
prepared by: MOD-D2; Mark Mnzer
kV
2,5
A
Isolations Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min.
V
ISOL
I
CRM
P
tot
1100
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: SM TM; Wilhelm Rusche
vorlufige Daten
preliminary data
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2002-10-28
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
I
C
= 225A,V
GE
= 15V, T
vj
= 25C
collector emitter saturation voltage
I
C
= 225A,V
GE
= 15V, T
vj
= 125C
Gate Schwellenspannung
I
C
= 9mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25C
V
CES
collector emitter voltage
1200
V
T
vj
=25 C
repetitive peak forward current
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125C
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
T
c
= 80C
Kollektor Dauergleichstrom
T
c
= 25C
DC collector current
W
V
gate emitter peak voltage
450
Dauergleichstrom
I
F
225
T
c
= 25C; Transistor
repetitive peak collector current
t
p
= 1ms, T
c
= 80C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
A
DC forward current
+/- 20
10
k As
t
p
= 1ms
I
FRM
450
A
Grenzlastintegral
5,0
5,8
6,5
V
0,75
-
nF
reverse transfer capacitance
Rckwirkungskapazitt
f= 1MHz, T
vj
= 25C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
C
res
-
-
400
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25C
I
GES
-
It value
It
2,1
-
C
gate charge
Gateladung
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
5
mA
collector emitter cutt off current
V
GE
= 0V, T
vj
= 25C, V
CE
= 600V
I
CES
-
-
1/8
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
-
0,25
-
s
-
0,30
-
s
-
0,09
-
s
-
0,10
-
s
-
0,55
-
s
-
0,65
-
s
-
0,13
-
s
-
0,16
-
ns
-
1,65
2,15
V
-
1,65
t.b.d.
V
-
160
-
A
-
200
-
A
-
23
-
C
-
43
-
C
-
11
-
mJ
-
20
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= 225A, V
CC
= 600V
t
r
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
V
F
forward voltage
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= 225A, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
I
F
= 225A, V
GE
= 0V, T
vj
= 125C
I
F
= 225A, -di
F
/dt= 2600A/s
Durchlassspannung
-
-
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
m
Charakteristische Werte / characteristic values
I
C
= 225A, V
CC
= 600V
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
t
f
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
I
C
= 225A, V
CC
= 600V
t
d,off
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
-
15
-
mJ
-
mJ
Ausschaltverlustenergie pro Puls
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= 225A, V
CC
= 600V, L
= 80nH
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
-
36
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC/EE
T
c
= 25C
Diode Wechselrichter / diode inverter
1,1
20
-
nH
stray inductance module
Modulinduktivitt
L
CE
-
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
CE
di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Kurzschlussverhalten
t
P
10s, V
GE
15V, T
Vj
125C
I
SC
-
900
-
A
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
I
C
= 225A, V
CC
= 600V
E
on
I
C
= 225A, V
CC
= 600V, L
= 80nH
V
GE
= 15V, R
G
= 3,3
, T
vj
= 125C
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
I
F
= 225A, -di
F
/dt= 2600A/s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
I
F
= 225A, -di
F
/dt= 2600A/s
2/8
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
min.
typ.
max.
-
-
0,110
K/W
-
-
0,190
K/W
10,0
mm
clearance distance
Luftstrecke
12,7
mm
creepage distance
Kriechstrecke
R
thCK
T
vj max
T
vj op
T
stg
Mechanische Eigenschaften / mechanical properties
6
Nm
terminal connection torque
Anzugsdrehmoment, elektr. Anschlsse
Anschlsse / terminals M6
M
3
-
Abweichung von R
100
R
25
-
5
-
k
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
5
-
-
deviation of R
100
Verlustleistung
T
c
= 100C, R
100
= 493
R/R
Lagertemperatur
storage temperature
pro Modul / per module
Paste
= 1W/m*K /
grease
= 1W/m*K
operation temperature
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
bergangs Wrmewiderstand
6
Nm
C
-40
-
125
-
Al
2
O
3
K
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
T
c
= 25C
rated resistance
B-value
%
T
c
= 25C
P
25
K/W
20
mW
power dissipation
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
-
3375
-
-
0,005
-
-
-
C
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
-40
-
125
C
150
Gehuse, siehe Anlage
internal insulation
225
comperative tracking index
CTI
Anzugsdrehmoment, mech. Befestigung
M
mounting torque
Schraube / screw M5
Innerer Wrmewiderstand; DC
thermal resistance, junction to case; DC
Transistor Wechelr. / transistor inverter
Diode Wechselrichter / diode inverter
R
thJC
910
g
weight
G
Gewicht
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid with
the belonging technical notes.
Innere Isolation
case, see appendix
3
3/8
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
Ausgangskennlinie (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
output characteristic (typical)
T
vj
= 125C
output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
0
75
150
225
300
375
450
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
V
CE
[V]
I
C
[A]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
75
150
225
300
375
450
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
I
C
[A]
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
4/8
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28
Technische Information / technical information
FS225R12KE3
IGBT-Module
IGBT-Modules
vorlufige Daten
preliminary data
bertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
I
F
= f(V
F
)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
0
75
150
225
300
375
450
5
6
7
8
9
10
11
12
13
V
GE
[V]
I
C
[A]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
75
150
225
300
375
450
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
V
F
[V]
I
F
[A]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
5/8
DB_FS225R12KE3_2.0
2002-10-28