I
C, nom
35
A
I
C
55
A
min.
typ.
max.
-
1,7
2,15
V
-
2,0
-
V
mA
5
-
V
CE
= 1200V, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
Gateladung
V
GE
= -15V...+15V
Q
G
-
gate charge
nF
-
0,09
f= 1MHz, T
vj
= 25C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
-
Kollektor Emitter Reststrom
C
res
collector emitter cut off current
I
CES
Rckwirkungskapazitt
reverse transfer capacitance
Eingangskapazitt
input capacitance
f= 1MHz, T
vj
= 25C, V
CE
= 25V, V
GE
= 0V
prepared by: M. Mnzer
V
GES
revision: 3
2,5
5,0
5,8
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
date of publication: 2002-03-04
Kollektor Emitter Sttigungsspannung
V
GE
= 15V, T
vj
= 25C, I
C
= I
C,nom
collector emitter saturation voltage
A
Isolations Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f= 50Hz, t= 1min
V
ISOL
I
CRM
P
tot
200
repetitive peak forward current
kV
V
R
= 0V, t
p
= 10ms, T
vj
= 125C
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
V
CES
Periodischer Spitzenstrom
Gesamt Verlustleistung
total power dissipation
Gate Emitter Spitzenspannung
V
CEsat
Charakteristische Werte / characteristic values
approved: M. Hierholzer
V
GE
= 15V, T
vj
= 125C, I
C
= I
C,nom
Gate Schwellenspannung
V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25C, I
C
= 1,5mA
gate threshold voltage
1200
V
Elektrische Eigenschaften / electrical properties
Hchstzulssige Werte / maximum rated values
Kollektor Emitter Sperrspannung
T
c
= 80C
Kollektor Dauergleichstrom
collector emitter voltage
T
vj
= 25C
T
c
= 25C
DC collector current
W
V
gate emitter peak voltage
70
Dauergleichstrom
I
F
35
T
c
= 25C
repetitive peak collector current
t
p
= 1ms, T
c
= 80C
Periodischer Kollektor Spitzenstrom
A
DC forward current
+20
300
As
t
p
= 1ms
I
FRM
70
A
Grenzlastintegral
V
nF
2,5
-
0,33
-
C
I
GES
-
400
6,5
-
-
-
It value
It
V
GE(th)
C
ies
nA
gate emitter leakage current
Gate Emitter Reststrom
V
CE
= 0V, V
GE
= 20V, T
vj
= 25C
1 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
85
-
ns
-
90
-
ns
-
30
-
ns
-
45
-
ns
-
420
-
ns
-
520
-
ns
-
65
-
ns
-
90
-
ns
-
1,65
2,15
V
-
1,65
-
V
-
49
-
A
-
51
-
A
-
3,7
-
C
-
6,8
-
C
-
1,4
-
mJ
-
2,7
-
mJ
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
Transistor Wechselrichter / transistor inverter
t
d,on
Anstiegszeit (induktive Last)
rise time (inductive load)
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
r
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/s
Durchlassspannung
Charakteristische Werte / characteristic values
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 25C
I
F
= I
C, nom
, V
GE
= 0V, T
vj
= 125C
Einschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn on delay time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
Abschaltverzgerungszeit (induktive Last)
turn off delay time (inductive load)
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
V
F
forward voltage
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
I
RM
-
-
t
f
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
-
3,5
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25C
m
Charakteristische Werte / characteristic values
E
on
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
= 70nH
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
t
d,off
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V
-
mJ
-
mJ
Leitungswiderstand, Anschluss-Chip
lead resistance, terminal-chip
R
CC/EE
T
c
= 25C
19
turn off energy loss per pulse
E
off
I
C
= I
C, nom
, V
CC
= 600V, L
= 70nH
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
-
4,8
Diode Wechselrichter / diode inverter
2,5
Q
r
Ausschaltenergie pro Puls
reverse recovery energy
E
rec
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 25C
V
R
= 600V, V
GE
= -15V, T
vj
= 125C
I
F
=I
C,nom
, -diF/dt= 1500A/s
-
nH
stray inductance module
Modulindiktivitt
L
CE
-
SC data
V
CC
= 900V, V
CEmax
= V
CES
- L
CE
di/dt
Einschaltverlustenergie pro Puls
turn on energy loss per pulse
Ausschaltverlustenergie pro Puls
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 25C
V
GE
= 15V, R
G
= 27
, T
vj
= 125C
Kurzschlussverhalten
t
P
10sec, V
GE
15V, T
Vj
125C
I
SC
-
140
-
A
Sperrverzgerungsladung
recoverred charge
I
F
=I
C,nom
, -di
F
/dt= 1500A/s
2 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
min.
typ.
max.
-
-
0,60
K/W
-
-
0,95
K/W
7,5
mm
clearence
Luftstrecke
10
mm
creepage distance
Kriechstrecke
g
weight
G
180
M
3
-
6
internal insulation
CTI
225
case, see appendix
Gehuse, siehe Anlage
Innere Isolation
screw M 5
comperative tracking index
Schraube M 5
Gewicht
Al
2
O
3
Abweichung von R
100
R
25
-
k
Thermische Eigenschaften / thermal properties
-5
-
5
-
5
Verlustleistung
T
c
= 100C, R
100
= 493
R/R
T
c
= 25C
P
25
power dissipation
R
thCK
thermal resistance, case to heatsink
Hchstzulssige Sperrschichttemp.
bergangs Wrmewiderstand
T
vjmax
pro Modul / per module
Paste
= 1W/m*K /
grease
= 1W/m*K
operation temperature
maximum junction temperature
Betriebstemperatur
B-value
%
-
-
Charakteristische Werte / characteristic values
NTC-Widerstand / NTC-thermistor
Nennwiderstand
T
c
= 25C
rated resistance
deviation of R
100
B-Wert
R
2
= R
1
exp[B(1/T
2
- 1/T
1
)]
B
25/50
K/W
-
0,02
-
3375
-
K
C
20
mW
150
-
-
-
-40
-
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften
zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
3 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
output characteristic (typical)
T
vj
= 125C
output characteristic (typical)
V
GE
= 15V
Ausgangskennlinienfeld (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
Ausgangskennlinie (typisch)
I
C
= f(V
CE
)
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
V
CE
[V]
I
C
[A]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
3,5
4,0
4,5
5,0
V
CE
[V]
I
C
[A]
VGE=19V
VGE=17V
VGE=15V
VGE=13V
VGE=11V
VGE=9V
4 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
Technische Information / technical information
FS35R12KE3 G
IGBT-Module
IGBT-Modules
Durchlasskennlinie der Inversdiode (typisch)
I
F
= f(V
F
)
forward caracteristic of inverse diode (typical)
bertragungscharakteristik (typisch)
transfer characteristic (typical)
I
C
= f(V
GE
)
V
CE
= 20V
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
4
5
6
7
8
9
10
11
12
V
GE
[V]
I
C
[A]
Tvj=25C
Tvj=125C
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
55
60
65
70
0,0
0,2
0,4
0,6
0,8
1,0
1,2
1,4
1,6
1,8
2,0
2,2
2,4
V
F
[V]
I
F
[A]
Tvj = 25C
Tvj = 125C
5 (8)
Datenblatt FS35R12KE3_G V3.xls
2002-03-04
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ZIP