FZ 1800 R 12 KF4
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
collector-emitter voltage
V
CES
1200 V
Kollektor-Dauergleichstrom
DC-collector current
I
C
1800 A
Period. Kollektor Spitzenstrom
repetitive peak collector current
t
p
=1 ms
I
CRM
3600 A
Gesamt-Verlustleistung
total power dissipation
t
C
=25C, Transistor
P
tot
11 kW
Gate-Emitter-Spitzenspannung
gate-emitter peak voltage
V
GE
+/- 20 V
Dauergleichstrom
DC forward current
I
F
1800 A
Periodischer Spitzenstrom
repetitive peak forw. current
t
p
=1ms
I
FRM
3600 A
Isolations-Prfspannung
insulating test voltage
RMS, f=50 Hz, t= 1 min.
V
ISOL
2,5 kV
Charakteristische Werte / Characteristic values: Transistor
min.
typ.
max
Koll.-Emitter Sttigungsspannung
coll.-emitter saturation voltage
i
C
=1,8kA, v
GE
=15V, t
vj
=25C
v
CE sat
-
2,7
3,2 V
i
C
=1,8kA,v
GE
=15V,t
vj
=125C
-
3,3
3,9 V
Gate-Schwellspannung
gate threshold voltage
i
C
=72mA,v
CE
=v
GE
,t
vj
=25C
v
GE(th)
4,5
5,5
6,5 V
Eingangskapazitt
input capacity
f
O
=1MHz,t
vj
=25C,v
CE
=25V,
v
GE
=0
C
ies
-
135
- nF
Kollektor-Emitter Reststrom
collector-emitter cut-off current
v
CE
=1200V,v
GE
=0V,t
vj
=25C
i
CES
-
-
30 mA
v
CE
=1200V,v
GE
=0V,t
vj
=125C
-
-
300 mA
Gate-Emitter Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
GE
=20V, t
vj
=25C
i
GES
-
-
400 nA
Emitter-Gate Reststrom
gate leakage current
v
CE
=0V, v
EG
=20V, t
vj
=25C
i
EGS
-
-
400 nA
Einschaltzeit (ohmsche Last)
turn-on time (resistive load)
i
C
=1,8kA,v
CE
=6
00
V,v
L
=15V
t
on
v
L
=15V,R
G
=0,43
,t
vj
=25C
-
-
- s
t
vj
=125C
-
-
- s
Speicherzeit (induktive Last)
storage time
i
C
=1,8kA,v
CE
=6
00
V,v
L
=15V
t
s
v
L
=15V,R
G
=0,43
,t
vj
=25C
-
-
- s
t
vj
=125C
-
-
- s
Fallzeit (induktive Last)
fall time (inductive load)
i
C
=1,8kA,v
CE
=6
00
V,v
L
=15V
t
f
v
L
=15V,R
G
=0,43
,t
vj
=25C
-
-
- s
t
vj
=125C
-
-
- s
Bedingungen fr den Kurzschluschutz / Conditions for short-circuit protection
t
fg
= 10s
V
CC
= 750V
v
L
= 15V
v
CEM
= 900V
R
GF
= R
GR
=0,43
i
CMK1
= 18000V
t
vj
= 125C
i
CMK2
= 13500V
Unabhngig davon dilt bei abweichenden Bedingungen / with regard to other conditions
v
CEM
= V
CES
- 12nH . |di
C
/dt|
Charakteristische Werte / Characteristic values: Invers-Diode
Durchlaspannung
forward voltage
i
F
=1,8kA, v
GE
=0V, t
vj
=25C
V
F
-
2,2
2,7 V
i
F
=1,8kA, v
GE
=0V, t
vj
=125C
-
2
2,5 V
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
i
F
=1,8kA, -di
F
/dt=1,8kA/s
I
RM
v
RM
=6
00
V,v
EG
=10V,t
vj
=25C
-
-
- A
v
RM
=6
00
V,v
EG
=10V,t
vj
=125C
-
-
- A
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
i
F
=1,8kA, -di
F
/dt=1,8kA/s
Q
r
v
RM
=6
00
V,v
EG
=10V,t
vj
=25C
-
-
- As
v
RM
=6
00
V,v
EG
=10V,t
vj
=125C
-
-
- As
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resist., junction to case
Transistor / transistor, DC
R
thJC
0,011 C/W
Diode, DC
0,024 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resist., case to heatsink
pro Module / per Module
R
thCK
0,006 C/W
Hchstzul. Sperrschichttemp.
max. junction temperature
Transistor
t
vj max
150 C
Betriebstemperatur
operating temperature
Transistor / transistor
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+125 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite / page
1
Innere Isolation
internal insulation
Al
2
O
3
Anzugsdrehm. f. mech. Befest.
mounting torque
M1
3 Nm
Anzugsdrehm. f. elektr. Anschl.
terminal connection torque
terminals M4
M2
2 Nm
terminals M8
8...10 Nm
Gewicht
weight
G
ca.2300 g
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
eupec GmbH + Co KG, Max-Plank-Str. 5, D59581 Warstein, Telefon +49 (0)2902/764-0, Telefax /764-
256
Bild / Fig. 1
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
V
GE
= 15V
- - - - t
vj
= 25C
____ t
vj
= 125C
Bild / Fig. 2
Kollektor-Emitter-Spannung im Sttigungsbereich (typisch)
Collector-emitter-voltage in saturation region (typical)
t
vj
= 125C
Bild / Fig. 3
bertragungscharakteristik (typisch)
Transfer characteristic (typical)
V
CE
= 20V
Bild / Fig. 4
Transienter innerer Wrmewiderstand (DC)
Transient thermal impedance (DC)
Bild / Fig. 5
Durchlakennlinie der Inversdiode (typisch)
Forward charakteristic of the inverse diode (typical)
----- t
vj
= 25C
___ t
vj
= 125C
4000
1
v
CE
[V]
0
2
3
4
5
2000
3000
1000
i
C
[A]
FZ 1800 R 12 KF4
4000
1
v
CE
[V]
0
2
3
4
5
2000
3000
1000
i
C
[A]
FZ 1800 R 12 KF4
V
GE
=20V
15V
12V
10V
9V
8V
4000
5
v
GE
[V]
0
2000
3000
1000
i
C
[A]
6
7
8
9
10
11
11
12
t
vj
=
125C
25C
FZ 1800 R 12 KF4
t [s]
Z
(th)JC
[C/W]
10
-3
10
1
10
-2
10
-1
2
4
6
2
4
6
2
4
6
2
4
6
10
-3
2
4
6
8
10
-2
2
4
6
8
10
-1
Diode
IGBT
FZ 1800 R 12 KF4
10
0
4000
0,5
v
F
[V]
0
2000
3000
1000
i
F
[A]
1,0
1,5
2,0
2,5
3,0
FZ 1800 R 12 KF4
FZ 1800 R 12 KF4
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