Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1039 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Preliminary Data
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1800, 2000
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200 V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1800, 2000
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
2200 V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1900, 2100
V
non-repetitive peak reverse voltage
2300 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
2200
A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
1039
A
average on-state current
T
C
= 62 C
1400
A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
21.500
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
18.500
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
2.311
As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
1.711
As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200
A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 2000 A
v
T
max. 1,530 V
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000 A
max. 1,207 V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
0,9
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,3
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A=0,8835
on-state voltage
B=2,9753E-04
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1) + D x
i
T
C=-6,7109E-03
D=2,2924E-03
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max. 300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
>=10
I
L
max. 1200
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max. 160
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, Z=180sin
max. 0,0231
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0210
C/W
Anode / anode, Z=180sin
max. 0,0395
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0375
C/W
Kathode / cathode, Z=180sin
max. 0,0500
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0480
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0035
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0070
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
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case, see appendix
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Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Anprekraft
F
16...32
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
520
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W] 0,00113 0,0021 0,00229 0,00703 0,00845
two-sided
n
[s]
0,00189 0,0065 0,0456 0,23
1,134
anodenseitig
R
thn
[C/W] 0,00066 0,00291 0,0037 0,00783 0,0224
anode-sided
n
[s]
0,00138 0,00614 0,0765 0,374
6,66
kathodenseitig
R
thn
[C/W] 0,00127 0,0026 0,00623 0,0046 0,0333
cathode-sided
n
[s]
0,00201 0,00843 0,126
0,57
7,83
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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N
Grenzdurchlakennlinie / Limiting 0n-state characteristic i
T
= f(v
T
)
T
vj
= T
vj
max
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Z. Nr.: 2
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0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
0,5
1
1,5
2
2,5
3
v
T
[V]
i
T
[A]
PDF 
ZIP