Technische Information / Technical Information
Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1329 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Preliminary Data
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DRM
, V
RRM
1800, 2000
V
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
2200 V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
DSM
1800, 2000
V
non-repetitive peak foward off-state voltage
2200 V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
T
vj
= + 25C...T
vj max
V
RSM
1900, 2100
V
non-repetitive peak reverse voltage
2300 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
I
TRSMSM
2600 A
RMSM on-state current
Dauergrenzstrom
T
C
= 85 C
I
TAVM
1329 A
average on-state current
T
C
= 70 C
1655 A
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
26500 A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10 ms
23000 A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
3510 As*10
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
2645 As*10
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di
T
/dt)
cr
200 A/s
critical rate of rise of on-state current
f=50 Hz, v
L
= 10V, i
GM
= 1 A
di
G
/dt = 1 A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
critical rate of rise of off-state voltage
5.Kennbuchstabe / 5th letter F
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 3000 A
v
T
max. 1,65
V
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1000 A
max. 1,13
V
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
T(TO)
0,9
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
0,234
m
slope resistance
Durchlakennlinie
T
vj
= T
vj max
A
0,9012
on-state voltage
B
1,89E-4
v
T
= A + B x i
T
+ C x ln (i
T
+ 1) + D x
i
T
C
-2,256E-2
D
0,006587
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 250
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
max.
2,2
V
gate trigger voltage
Nicht zndener Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.
10
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
max.
5
mA
Nicht zndene Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
,v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max. 0,25
mV
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max. 300
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
>=10
I
L
max. 1200
mA
latching current
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
max. 150
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
max.
4
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
SZ-M / 21.09.98, K.-A.Rther
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1329 N 18...22
N
Elektrische Eigenschften / Electrical properties
Vorlufige Daten
Charakteristische Werte / Characteristic values
Preliminary Data
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
=I
TAVM
t
q
circuit commutatet turn-off time
v
RM
=100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
4. Kennbuchstabe / 4th letter O
typ.
300
s
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJC
thermal resitance, junction to case
beidseitig / two-sided, Z=180sin
max. 0,0184
C/W
beidseitig / two-sided, DC
max. 0,0170
C/W
Anode / anode, Z=180sin
max. 0,0344
C/W
Anode / anode, DC
max. 0,0330
C/W
Kathode / cathode, Z=180sin
max. 0,0364
C/W
Kathode / cathode, DC
max. 0,0350
C/W
bergangs- Wrmewiderstand
Khlflche / cooling surface
R
thJK
thermal resitance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
max. 0,0025
C/W
einseitig / single-sided
max. 0,0050
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
-40...125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
-40...150
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 3
case, see appendix
page 3
Si-Element mit Druckkontakt, Ampilying-Gate
Si-pellet with pressure contact, amlifying gate
Anprekraft
F
20 ...45
kN
clamping force
Gewicht
G
typ.
540
g
weight
Kriechstrecke
32
mm
creepage distance
Feuchteklasse
DIN 40040
C
humidity classification
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt
in Verbindung mit den zugehrigen Technischen Erluterungen./ The technical Information specifies semiconductors devices but
promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
T 1329 N 18...22
N
Khlung
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
cooling
Analytical ementes of transient thermal impedanceZ
thJC
for DC
Pos.n
1
2
3
4
5
6
7
beidseitig
R
thn
[C/W] 0,00022 0,0011 0,00102 0,00283 0,00608 0,00575
two-sided
n
[s]
0,00136 0,00306 0,0139 0,0662 0,512
1,49
anodenseitig
R
thn
[C/W] 0,00065 0,0019 0,00239 0,00381 0,00425 0,02
anode-sided
n
[s]
0,0016 0,0091 0,0791 0,26
1,736
7,21
kathodenseitig
R
thn
[C/W] 0,00055 0,00206 0,00604 0,00551 0,02084
cathode-sided
n
[s]
0,0014 0,00857 0,154
2,58
7,007
n
max
Analytische Funktion / analytical function : Z
thJC
=
R
thn
( 1 - EXP ( - t /
n
))
n=1
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Netz-Thyristor
Phase Control Thyristor
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Durchlakennlinie / 0n-state characteristic i
T
=f(v
T
)
T
vj
= T
vj max
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0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
2,2
2,4
2,6
v
T
[V]
i
T
[A]
PDF 
ZIP