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Электронный компонент: T2009N

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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 2
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz
Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widererstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
3000 3100
3200 3300
3400 3500
3500 3600
3600 3700
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
4350 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
2050
2750
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
42,5
38,5
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
9,0 . 10
6
7,4 . 10
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
, i
GM
= 3A,
di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)
cr
1000 V/s
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
Release 2
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N
2
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 2kA
v
T
typ.
1,35
max.
1,5
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
V
(TO)
r
T
typ.
0,9
0,225
max.
1
0,25
V
m
Durchlarechenkennlinie
400 A
i
T
6000 A
on - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ.
- 0,0978
0,000187
0,15
- 0,00173
max.
0,0981
0,000153
0,143
0,00466
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
350 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
300 mA
Zndverzugszeit
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
1,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ.
300 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2000A, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
8,5 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 2000A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
I
RM
270 A
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
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N
3
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0087
0,0080
0,0150
0.0170
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,0025
0,0050
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
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Si - Element mit Druckkontakt, Amplifying gate
Si - pellet with pressure contact, amplifying gate
Silizium Tablette
silicon wafer
76TN36
Anprekraft
clampig force
F
36...52 kN
Gewicht
weight
T2001N
T2009N
G
typ.
typ.
1700
1200
g
g
Kriechstrecke
surface creepage distance
T2001N
T2009N
33
25
mm
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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Mabild / Outline T2001N
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 2001N 30...36 TOF
T 2009N 30...36 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-09, Przybilla J. / Keller
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Mabild / Outline T2009N