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Электронный компонент: T4301N

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Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4301 N 22...29 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
Release 4
Seite/page
N
1
Features:
Volle Sperrfhigkeit bei 125 mit 50 Hz Full blocking capability at 125C with 50 Hz
Hohe Stostrme und niedriger Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widerstnde durch NTV-Verbindung by using low temperature-connection NTV
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe. between silicon wafer and molybdenum.
Elektroaktive Passivierung durch a - C:H Electroactive passivation by a - C:H
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts - und Rckwrts - Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltage
f = 50 Hz
V
DRM
,
V
RRM
t
vj min
= -40C t
vj min
= 0C
2200 2250
2600 2650
2800 2900
2900 3000
V
V
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
9600 A
Dauergrenzstrom
mean forward current
t
C
= 85C, f = 50Hz
t
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
4460
6100
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
95
90
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10ms
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t
45,110
6
40,510
6
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50Hz, v
D
= 0,67 V
DRM
, i
GM
= 3A,
di
G
/dt = 6A/s
(di/dt)
cr
300 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
5. Kennbuchstabe / 5 th letter F
(dv/dt)
cr
1000 V/s
Technische Information / Technical Information
Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
T 4301 N 22...29 TOF
BIP AM / SM PB, 2001-04-10, Przybilla J. / Keller
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N
2
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 4kA
v
T
Typ
1,11
Max
1,14
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
t
vj
= t
vj max
3kA / 6kA
V
(TO)
r
T
Typ
0,796
0,076
Max
0,821
0,0774
V
m
Durchlarechenkennlinie 1000 A
i
T
10000A
on - state characteristics for calculation
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
t
vj
= t
vj max
A
B
C
D
typ
0,1085
0,0000126
0,0886
0,0069
max
0,1065
0,0000273
0,0993
0,00496
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
300 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6V
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5
V
DRM
I
GD
20
10
mA
mA
nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
0,4 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
A
= 4,7
I
H
350 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25C, v
D
= 12V, R
GK
10
i
GM
= 3A, di
G
/dt= 6 A/s, t
g
= 20s
I
L
3 A
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse currents
t
vj
= t
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
200 mA
Zndverzugszeit
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
t
vj
= 25C,
i
GM
= 3A, di
G
/dt = 6A/s
t
gd
1,5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
t
vj
= t
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4 th letter O
t
q
typ.
250 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 3500A, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5 V
RRM
, V
RM
= 0,8 V
RRM
Q
r
12 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
t
vj
= t
vj max
I
TM
= 3500A, di/dt = 10 A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
I
RM
320 A
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Netz Thyristor
Phase Control Thyristor
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0053
3
0,0050
0,0095
0,0105
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,0015
0,0030
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+150 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite 4
SiElement mit Druckkontakt, Amplifying gate
silicon pellet with pressure contact, amplifying gate
Silizium Tablette
silicon wafer
100TN29
Anprekraft
clampig force
F
63...91 kN
Gewicht
weight
G
typ.
3000 g
Kriechstrecke
surface creepage distance
49 mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50 m/s
2
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Outline Drawing
Technische Information / Technical Information
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Durchlakennlinien / on-state characteristic
i
T
= f (v
T
)
t
vj
= 125
C
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
3500
4000
4500
5000
5500
6000
6500
7000
7500
8000
8500
9000
9500
10000
10500
11000
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
V
T
[V]
I
T
(A)
typ max