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Электронный компонент: T553N

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Technische Information / Technical Information
Lichtzndbarer
Netzthyristor
mit integriertem berspannungsschutz

Light Triggered Phase Control Thyristor
with integrated overvoltage protection
T 553 N 70 TOH

.
BIP AC / SM PB, 2002-05-23, Przybilla J. / Keller
Release 6
Seite/page
N
1
Features:
Lichtgezndeter Netz Thyristor
Phase Control Thyristor, light triggered
mit integriertem. berspannungsschutz
with integrated overvoltage protection
Volle Sperrfhigkeit bei 120 mit 50 Hz
Full blocking capability at 120C with 50 Hz

Hohe Stostrme und niedrige Wrme-
High surge currents and low thermal resistance
widerstnde durch NTV-Verbindung
by using low temperature-connection NTV between
zwischen Silizium und Mo-Trgerscheibe.
silicon wafer and molybdenum.

Elektroaktive Passivierung durch a - C:H
Electroactive passivation by a - C:H





Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak reverse voltage
F = 50 Hz
V
RRM
T
vj min
= -40C T
vj min
=
0C
7000 7200
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS forward current
I
TRMSM
1200
A
Dauergrenzstrom
mean forward current
T
C
= 85C, f = 50Hz
T
C
= 60C, f = 50Hz
I
TAVM
550
765
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge forward current
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
TSM
12,1
11,7
kA
kA
Grenzlastintegral
I
2
t-value
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
I
2
t 732
10
3
684
10
3
A
2
s
A
2
s
Kritische Stromsteilheit, periodisch
critical rate of rise of on-state current, periodical
DIN IEC 747-6
V
D
V
BO
, f = 50Hz,
P
L
= 40mW, t
rise
= 0,5s
(di/dt)
cr
300
A/s
Kritische Stromsteilheit, nicht-periodisch
critical rate of rise of on-state current, non-periodical
DIN IEC 747-6
V
D
V
BO
, P
L
= 40mW,
t
rise
= 0,5s
(di/dt)
cr
1000
A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
DM
= 4,3kV
(dv/dt)
cr
2000
V/s










Technische Information / Technical Information
Lichtzndbarer
Netzthyristor
mit integriertem berspannungsschutz

Light Triggered Phase Control Thyristor
with integrated overvoltage protection
T 553 N 70 TOH

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Charakteristische Werte / Characteristic values

Schutzndspannung (statisch)
protective break over voltage
T
vj
= 0C ... T
vj max
V
BO
min.
6500
V
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1kA
v
T
typ.
2,55
max.
2,65
V
Schleusenspannung / threshold voltage
Ersatzwiderstand / slope resistance
T
vj
= T
vj max
V
TO
r
T
typ. max.
1,25 1,3
1,3 1,35
V
m
Durchlarechenkennlinie
on-state characteristics for calculations
( )
V
A B i
C
i
D
i
T
T
T
T
= + +
+ +
ln
1
T
vj
= T
vj max
A
B
C
D
typ. max.
-0,0927 -0,0921
0,000967 0,001
0,1815 0,1841
0,01334 0,0149
erforderliche Zndlichtleistung
required gate trigger light power
T
vj
= 25C, v
D
= 100V
P
LM
min
40 mW
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25C
I
H
.
100 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 100V,
P
LM
= 40mW, t
an
= 0,5s
I
L
1 A
Rckwrts-Sperrstrom
reverse current
T
vj
= T
vj max
v
R
= 7000V
i
R
200 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
T
vj
= 25C, v
D
= 1000V,
P
LM
= 40mW, t
an
= 0,5s
t
gd
typ.
5 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100V, v
DM
= 0,67
v
DRM
dv
D
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
4. Kennbuchstabe / 4
th
letter O
t
q
typ.
650 s
Sperrverzgerungsladung
recovered charge
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
Q
r
7,2 mAs
Rckstromspitze
peak reverse recovery current
T
vj
= T
vj max
I
TM
= 1000A, di/dt = 10A/s
V
R
= 0,5
V
RRM
, V
RM
= 0,8
V
RRM
I
RM
210 A
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Lichtzndbarer
Netzthyristor
mit integriertem berspannungsschutz

Light Triggered Phase Control Thyristor
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Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
beidseitig / two-sided,
= 180sin
beidseitig / two-sided , DC
Anode / anode
DC
Kathode / cathode
DC
R
thJC
0,0200
0,0190
0,0305
0,0500
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
beidseitig / two-sided
einseitig / single-sided
R
thCH
0,005
0,010
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
T
vj max
+120
C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+120
C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+150
C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see appendix
Seite
4
Si-Element mit Druckkontakt, Lichtzndung
Si-pellet with pressure contact, ligt triggered
Silizium Tablette
silicon wafer
55LTN70
Anprekraft
clampig force
F 15...24
kN
Gewicht
weight
G
typ
650 g
Kriechstrecke
creepage distance
25
mm
Feuchteklasse
humidity classification
DIN 40040
C
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50Hz
50
m/s
2


Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbidung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging technical notes.
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Lichtzndbarer
Netzthyristor
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Mabild / Outline









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Lichtzndbarer
Netzthyristor
mit integriertem berspannungsschutz

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Durchlakennlinien i
T
= f ( v
T
)
Limiting and typical on-state characteristic
T
vj
= 120
C

0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
1800
2000
2200
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
V
T
[V]
I
T
(A)
typ max
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Lichtzndbarer
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Transienter innerer Wrmewiderstand
Transient thermal impedance Z
(th) JC
= f (t)
doppelseitige
Khlung
anodenseitige
Khlung
kathodenseitige
Khlung
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
r [K/W]
[s]
1 0,01048
0,84
0,01917
3,5
0,0396
5,82
2 0,00243
0,132
0,00232
0,45
0,00106
0,45
3 0,00304
0,062
0,0028
0,154
0,00487
0,126
4 0,00272
0,0134
0,00366
0,061
0,00237
0,037
5 0,00033
0,0019
0,00255
0,01
0,0021
0,009
0,019
-
0,0305
-
0,05
-
0
0,005
0,01
0,015
0,02
0,025
0,03
0,035
0,04
0,045
0,05
0,055
0,06
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t / [sec.]
Z

(t
h
)

J
C
/ [K
/
W
]
d
a
k
(
)
-
-
=
n
t
n
th
JC
th
n
e
R
t
Z
/
1
)
(
Technische Information / Technical Information
Lichtzndbarer
Netzthyristor
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Light Triggered Phase Control Thyristor
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Sperrverzgerungsladung Q
r
= f ( - di/dt )
recovered charge
Nebenbedingungen: T
vj
= 120
C, I
TM
= 1000A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
2
3
4
5
1 0
2 0
3 0
4 0
5 0
6
7
8
9
1
2
3
4
5
6
7
8
9
1 0
2 0
3 0
d i/ d t [ A / s ]
Technische Information / Technical Information
Lichtzndbarer
Netzthyristor
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Light Triggered Phase Control Thyristor
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Rckstromspitze / reverse recovery current
(typische Abhngigkeit / typical dependence)

I
RM
= f ( - di/dt)
T
vj
= 120
C, I
TM
= 1000A, v
R
= 0,5
V
RRM
, v
RM
= 0,8
V
RRM
0
5 0
1 0 0
1 5 0
2 0 0
2 5 0
3 0 0
3 5 0
0
2
4
6
8
1 0
1 2
1 4
1 6
1 8
2 0
-d i/d t
I
RM
[A]