ChipFind - документация

Электронный компонент: T698F

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T 698 F
Elektrische Eigenschatten
Hchstzulssige Werte
Electrical properties
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und
repetitive peak forward off-state
Rckwrts-Spitzensperrspannung and reverse voltages
Vorwrts-Stospitzen-
non repetitive peak
sperrspannung
forward off-state voltage
Rckwrts-Stospitzen-
non repetitive peak
sperrspannung
reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert RMS on-state current
Dauergrenzstrom
average on-state current
Stostrom-Grenzwert
surge current
Grenzlastintegral
Kritische Stromsteilheit
Pt-value
critical rate of rise of on-state current
Kritische Spannungssteilheit critical rate of rise of off-state voltage
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
Schleusenspannung
Ersatzwiderstand
Zndstrom
Zndspannung
Nicht zndender Steuerstrom
Nicht zndende Steuerspannung
Haltestrom
Einraststrom
Vorwrts- u. Rckwrts-Sperrstrom
Zndverzug
Freiwerdezeit
Thermische Eigenschatten
Innerer Wrmewiderstand
fr beidseitige Khlung
fr anodenseitige Khlung
fr kathodenseitige Khlung
bergangswrmewiderstand
Hchstzul. Sperrschichttemperatur
Betriebstemperatur
Lagertemperatur
on-state voltage
threshold voltage
slope resistance
gate trigger current
gate trigger voltage
gate non-trigger current
gate non-trigger voltage
holding current
latching current
forward off-state and reverse Currents
gate controlled delay time
circuit commutated turn-off time
Thermal properties
thermal resistance, junction to case
for two-sided cooling
for anode-sided cooling
for cathode-sided cooling
thermal resistance, case to heatsink
max. junction temperature
Operating temperature
storage temperature
Mechanische Eigenschaften
Si-Element mit Druckkontakt
Anprekraff
Gewicht
Kriechstrecke
Feuchteklasse
Schwingfestigkeit
Ma
bild
Mechanical properties
Si-pellet with pressure contact
Clamping force
weight
Creepage distance
humidity classification
Vibration resistance
outline
= +
tc 85C
=
=
=
= 10
t, =
= 10
=
=
67%
f = 50 Hz
=
A,
=
= 67%
2000 A
=
=
=
= 8 V
8 V
=
=
6
10
A, dioldt =
Alps, = 20
=
=
=
=
=
A,
=
siehe Techn.
Techn. Inf.
sin
sin
sin
DC
beidseitig/two-sided
einseitiglone-sided
DIN 40040
DIN
1
2 0 0 , 4 0 0 v
600 V
+50 V
=
V
RSM =
B:
L:
1100 A
698 A
11
769
605
300
50 50
500 500
500 50
1000 500
VT
max.
V
v
max. 200 mA
max.
2 v
max. 10 mA
max.
V
max. 200 mA
max.
1 A
max.
max.
C*: max.
D: max.
E: max.
50 mA
12 ps
15 ps
20
m a x .
m a x .
m a x .
m a x .
m a x .
m a x .
m a x .
m a x .
t
t
0,048

140C
+ 140C
+ 140C
F
G
11
100 g
C
50
154
l
Fr grere Stckzahlen bitte Liefertermin erfragen/Delivery for larger quantities on request
1) Werte nach DIN IEC 747-6 (ohne vorausgehende Kommutierung)/Values to DIN IEC 747-6 (without prior commutation)
2) Unmittelbar nach der Freiwerdezeit, vgl. Mebedingungen fr
after circuit commutated turn-off time, see Parameters
113
T
698 F
BildlFig. 16
Rckstromspitze
=
=
= 05
Peak reverse recovery current
=
0.5
= 0.8
Parameter: Durchlastrom/On-state current
BildlFig 18
Zndverzug/Gate controlled delay time
=
a Maximaler VerlauflLimiting Characteristic
b Typischer
Characteristic
BildlFig. 17
Transienter innerer Wrmewiderstand
f(t), DC
Transient thermal impedance
f(t), DC
1 Beidseitige Khlung/two-sided cooling
2 Anodenseitige Khlunglanode side cooling
3 Kathodenseitige Khlung/cathode side cooling
Bild/Fig. 19
Steuercharakteristik mit ZndbereichenlGate Characteristic with triggering areas
6 V
Parameter: a b c
Steuerimpulsdauerflrigger pulse duration
10
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung/
Max. rated peak gate power dissipation
20 40 60
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes
fr DC
Analytical elements of
thermal impedance
for DC
Khlung
cooling Pos.
1 2 3 4 5 6 7
beidseitig
0,017
0,123
0,017
0,123 0,273
0,017
0,123
0,803
Analytische Funktion/analytical function:
nmax
Z
=
116