VWK February 1996
Marketing Information
TT 131 N
plug
A 2,8 x 0,8
max. 12
screwing depth
M6x15 Z4-1
for fillister head screw
K1
K2
25
25
15
80
94
5
13,3
14
G2
G1
AK K
A
K1 G1
K2 G2
European Power-
Semiconductor and
Electronics Company
GmbH + Co. KG
TT 131 N, TD 131 N, DT 131 N
Elektrische Eigenschaften
Electrical properties
Hchstzulssige Werte
Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und
Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and
reverse voltages
t
vj
= -40C...t
vj max
V
DRM
, V
RRM
600 800 1000
1200 1400
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung non-repetitive peak forward off-state
voltage
t
vj
= -40C...t
vj max
V
DSM
= V
DRM
V
Rckwrts-
Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage t
vj
= +25C...t
vj max
V
RSM
= V
RRM
+ 100 V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
RMS on-state current
I
TRMSM
220 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
t
c
= 85C
I
TAVM
131 A
t
c
= 81C
140 A
Stostrom-Grenzwert
surge current
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
I
TSM
3600 A
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
3200 A
Grenzlastintegral
i
2
t-value
t
vj
= 25C, t
p
= 10 ms
i
2
dt
64800 A
2
s
t
vj
= t
vj max
, t
p
= 10 ms
51200 A
2
s
Kritische Stromsteilheit
current
v
D
67%, V
DRM
, f
o
= 50 Hz
(di/dt)
cr
150 A/s
v
L
=10V,i
GM
=0,6A,di
G
/dt =0,6A/s
Kritische Spannungssteilheit
voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv/dt)
cr
1000 V/s
Charakteristische Werte
Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
t
vj
= t
vj max
, i
T
= 350 A
v
T
max.1,48 V
Schleusenspannung
threshold voltage
t
vj
= t
vj max
V
T(TO)
0,85 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
t
vj
= t
vj max
r
T
1,5 m
Zndstrom
gate trigger current
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V
I
GT
max. 150 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V
V
GT
max.1,4 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 6 V
I
GD
max.5 mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
t
vj
= t
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.0,2 V
Haltestrom
holding current
t
vj
= 25 C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max. 200 mA
Einraststrom
latching current
t
vj
= 25 C,v
D
= 6 V, R
GK
> = 10
I
L
max. 620 mA
i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/s, t
g
= 20 s
Vorwrts- und Rckwrts-
Sperrstrom
forward off-state and reverse
currents
t
vj
= t
vj max
, v
D
=V
DRM
, v
R
=V
RRM
i
D
, i
R
max. 25 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
t
vj
=25C, i
GM
= 0,6 A, di
G
/dt = 0,6 A/s
t
gd
max.3 s
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
siehe Techn.Er./see Techn.Inf.
t
q
typ.180 s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
V
ISOL
3 kV
Thermische Eigenschaften
Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction
=180el,sinus: pro Modul/per module
R
thJC
max.0,115 C/W
to case
pro Zweig/per arm
max.0,23 C/W
DC: pro Modul/per module
max.0,107 C/W
pro Zweig/per arm
max.0,214 C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink pro Modul/per module
R
thCK
max.0,03 C/W
pro Zweig/per arm
max.0,06 C/W
Hchstzul.Sperrschichttemperatur
max. junction temperature
t
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
t
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
t
stg
-40...+130 C
Mechanische Eigenschaften
Mechanical properties
Gehuse, siehe Seite
case, see page
1
Si-Elemente mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment fr
mechanische Befestigung
mounting torque
Toleranz/tolerance +/- 15%
M1
6 Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische
Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz/tolerance +5%/-10%
M2
6 Nm
Gewicht
weight
G
typ.430
g
Kriechstrecke
creepage distance
14 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
5 . 9,81 m/s
Diese Module knnen auch mit gemeinsamer Anode oder gemeinsamer Kathode geliefert werden.
These modules can also be supplied with common anode or common cathode.
Recognized by UNDERWRITERS LABORATORIES INC.
TT 131 N
P
tot
[W]
0.1
I
d
[A]
0
0
1250
TT 131 N/6
20
40
60
80
100
100
200
t
A
[C]
250
500
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.25
0.2
0.15
0.12
0.08
R
thCA
[C/W]
0
400
1000
0.3
750
0.06
0.05 0.04
300
t
C
[C]
I
TAVM
[A]
0
50
60
80
100
130
TT 131 N/4
250
40
20
100
150
200
t
C
[C]
180
= 30
I
TAVM
[A]
0
50
100
60
120
90
0
TT 131 N/2
150
20
40
60
80
100
130
P
TAV
[W]
180
= 30
I
TAV
[A]
0
0
50
100
60
120
90
0
TT 131 N/1
150
20
40
60
80
100
120
140
200
160
180
P
TAV
[W]
I
TAV
[A]
0
0
50
50
250
TT 131 N/3
150
200
100
150
200
100
P
tot
[W]
I
d
[A]
0
0
800
TT 131 N/5
20
40
60
80
100
100
200
300
t
A
[C]
200
400
600
1.5
1.0
0.8
0.6
0.25
0.2
0.15
0.12
0.10
0.08
0.06
R-Last
R-load
R
thCA
[C/W]
L-Last
L-load
0
400
0.5
0.4
0.3
0.05
Bild / Fig. 1
Durchlaverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 2
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 4
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature
t
C
= f(I
TAVM
)
Strombelastung je Zweig / current load per arm
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 3
Durchlaverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm
P
TAV
= f(I
TAV
)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
= 30
60
180
90
0
DC
120
120
= 30
60
180
90
0
DC
Bild / Fig. 6
B6 - Sechpuls-Brckenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Gehuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 5
B2 - Zweiplus-Brckenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Hchstzulssiger Ausgangsstrom
/
Maximum rated output current I
d
Gesamtverlustleist. der Schaltung / total power dissip. of the circuit P
tot
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Gehuse und Umgebung /
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 131 N
P
tot
[W]
I
RMS
[A]
0
0
400
TT 131 N/7
20
40
60
80
100
100
200
300
t
A
[C]
100
200
300
3.0
2.0
1.5
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.3
0.25
R
thCA
[C/W]
0
400
0.2
0.15 0.12
0.1
P
tot
[W]
0.1
I
RMS
[A]
0
0
1250
TT 131 N/8
20
40
60
80
100
100
200
t
A
[C]
250
500
1.0
0.8
0.6
0.5
0.4
0.25
0.2
0.15
0.12
0.08
R
thCA
[C/W]
0
400
1000
0.3
750
0.06
0.05 0.04
300
10
4
10
2
10
0
2
3
4 5 6 7 8
10
1
2
3
4 5 6 7 8
10
2
-di/dt [A/s]
[As]
Q
r
8
2
4
10
3
8
6
4
2
20 A
50 A
100 A
200 A
500 A
TT 131 N/10
10
20
40
60 80 100
200
400 600 800
t [ms]
[kA]
I
T(0V)M
1s
2,5
1,5
1,0
0,5
0
2,0
b
a
TT 131 N/9
i
G
0,1
0,2
0,5
1
2
5
10
20
30
[V]
v
G
5
10
20
50 100 200
500
1
2
5
10
20
50
mA
A
a
b
c
d
TT 131 N/11
10
20
40 60 100
200
400 600 1
2
4
6
10
mA
A
i
G
100
60
20
10
6
4
2
1
0,6
0,4
0,2
0,1
[s]
t
gd
a
b
TT 131 N/12
Bild / Fig. 9
Grenzstrom je Zweig I
T(OV)M
. Belastung aus Leerlauf, V
RM
= 0,8 V
RRM
Maximum overload on- state per arm current I
T(OV)M
. Surge current under
no-load conditions, V
R
= 0,8 V
RRM
a - t
A
= 35 C, verstrkte Luftkhlung / forced cooling
b - t
A
= 45 C, Luftselbstkhlung / natural cooling
Bild / Fig. 10
Sperrverzgerungsladung / Recovery charge Q
r
= f(-di/dt)
t
vj
= t
vjmax
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
TM
Bild / Fig. 11
Steuercharakteristik mit Zndbereichen / Gate characteristic with triggering
areas, v
G
= f(i
G
), v
D
= 6 V
Parameter: a b c d
________________________________________________________
Steuerimpulsdauer / Pulse duration t
g
[ms] 10 1 0,5 0,1
________________________________________________________
Hchstzulssige Spitzensteuerleistung/
Maximum allowable peak gate power [W] 40 80 100 150
________________________________________________________
Bild / Fig. 12
Zndverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
t
vj
= 25C, di
G
/dt = i
GM
/1s
a - uerster Verlauf / limiting characteristic
b - typischer Verlauf / typical characteristic
Bild / Fig. 7
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum ratet RMS current I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the
circuit P
tot
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Gehuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
Bild / Fig. 8
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Hchstzulssiger Effektivstrom je Phase / Maximum ratet RMS current per
phase I
RMS
Gesamtverlustleist. der Schaltung / Total power dissip. at the circuit P
tot
Parameter: Wrmewiderstand zwischen Gehuse und Umgebung/
thermal resistance case to ambient R
thCA
TT 131 N
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
n
[s]
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
pro Zweig fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
per arm for DC
Analytische Funktion / Analytical function:
n
max
n=1
Z
thJC
= R
thn
(1-e )
t
-
n
[C/W]
Z
thJC
t [s]
10
-3 2
4 6 8
10
-2
2
4 6 8
10
0 2
4 6 8
10
1 2
4 6 8
10
2
2
4 6 8
10
-1
0
0,36
0,32
0,04
0,16
0,20
0,24
0,08
0,12
0
180
120
90
60
=
30
TT 121 N/13
[C/W]
Z
thJC
t [s]
10
-3 2
4 6 8
10
-2
2
4 6 8
10
0 2
4 6 8
10
1 2
4 6 8
10
2
2
4 6 8
10
-1
0
0
0,36
0,32
0,04
0,16
0,20
0,24
0,08
0,12
180
120
90
60
=
30
DC
TT 131 N/14
0,00956
0,025 0,0763 0,0726 0,0305
0,00089 0,0078
0,086
0,412
2,45
Bild / Fig. 13
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig
/
Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
Bild / Fig. 14
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig
/
Transient thermal impedance
per arm Z
(th)JC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / current conduction angle
PDF 
ZIP