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Электронный компонент: TDB6HK74NRR

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Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor
Periodische Spitzensperrspannung
T
vj
= - 40C...T
vj max
V
RRM
1600
V
repetitive peak reverse voltage
Durchlastrom-Grenzeffektivwert (pro Element)
I
TRMSM
45
A
RMS on-state current (per chip)
Ausgangsstrom
T
C
= 85C
I
d
75
A
output current
Stostrom-Grenzwert
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
I
TSM
500
A
surge current
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
400
A
Grenzlastintegral
T
vj
= 25C, t
p
= 10ms
It
1250
As
It-value
T
vj
= T
vj max
, t
p
= 10ms
800
As
Kritische Stromsteilheit
DIN IEC 747-6
(di/dt)
cr
120
A/s
critical rate of rise of on-state current
f = 50Hz, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/s
Kritische Spannungssteilheit
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
(dv/dt)
cr
critical rate of rise of off-state voltage
8. Kennbuchstabe / 8th letter F
1000
V/s
IGBT
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
V
CES
1200
V
collector-emitter voltage
Kollektor-Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
C
50
A
DC-collector current
Periodischer Kollektor-Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
CRM
100
A
repetitive peak collektor current
Gesamt-Verlustleistung
T
C
= 25C
P
tot
300
W
total power dissipation
Gate-Emitter Spitzenspannung
V
GE
20
V
gate-emitter peak voltage
Schnelle Diode / Fast diode
Periodische Spitzensperrspannung
V
RRM
1200
V
repetitive peak reverse voltage
Dauergleichstrom
T
C
= 80C
I
F
25
A
DC forward current
Periodischer Spitzenstrom
t
p
= 1ms
I
FRM
50
A
repetitive peak forward current
Isolations-Prfspannung
RMS, f = 50Hz, t = 1min
V
ISOL
2,5
kV
insulation test voltage
NTC connected to baseplate
prepared by: Ralf Jrke
date of publication: 13.12.2000
approved by: Lothar Kleber
revision: 1
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
A 30/00
Seite/page 1(12)
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Gleichrichterdiode, -thyristor / Rectifierdiode, -thyristor
min. typ. max.
Durchlaspannung
T
vj
= T
vj max
, i
F
= 75A
v
F
1,40
V
forward voltage
Schleusenspannung
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,75
V
threshold voltage
Ersatzwiderstand
T
vj
= T
vj max
r
T
9,1
m
forward slope resistance
Zndstrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
I
GT
150
mA
gate trigger current
Zndspannung
T
vj
= 25C, v
D
= 6V
V
GT
2,5
V
gate trigger voltage
Nicht zndender Steuerstrom
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6V
I
GD
5,0
mA
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
2,5
mA
Nicht zndende Steuerspannung
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
0,2
V
gate non-trigger voltage
Haltestrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
A
= 5
I
H
200
mA
holding current
Einraststrom
T
vj
= 25C, v
D
= 6V, R
GK
20
I
L
600
mA
latching current
i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/s, t
g
= 10s
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
T
vj
= T
vj max
i
D
, i
R
10
mA
forward off-state and reverse currents
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
Zndverzug
DIN IEC 747-6
t
gd
1,2
s
gate controlled delay time
T
vj
= 25C, i
GM
= 0,6A, di
G
/dt = 0,6A/s
Freiwerdezeit
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= 50A
t
q
circuit commutated turn-off time
v
RM
= 100V, V
DM
= 0,67 V
DRM
d
VD
/dt = 20V/s, -di
T
/dt = 10A/s
7. Kennbuchstabe / 7th letter O
190
s
IGBT
Kollektor-Emitter Sttigungsspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
v
CE sat
2,10 2,80
V
collector-emitter saturation voltage
T
vj
= 125C, i
C
= 50A, v
GE
= 15V
2,45
Gate-Emitter-Schwellspannung
T
vj
= 25C, i
C
= 2mA, v
GE
= v
CE
v
GE(TO)
4,5
5,5
6,5
V
gate-emitter threshold voltage
Eingangskapazitt
T
vj
= 25C, f
0
= 1MHz,
C
ies
3,3
nF
input capacitance
v
CE
= 25V, v
GE
= 0V
Kollektor-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
i
CES
10
500
A
T
vj
= 125C, v
CE
= 1200V, v
GE
= 0V
500
Gate-Emitter Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
GE
= 20V
i
GES
400
nA
gate leakage current
Emitter-Gate Reststrom
T
vj
= 25C, v
CE
= 0V, v
EG
= 20V
i
EGS
400
nA
gate-leakage current
Modul Leitungswiderstand, Anschlsse-Chip
T
C
= 25C
R
AA`+KK`
1
m
lead resistance, terminals-chip
Schnelle Diode / Fast diode
Durchlaspannung
T
vj
= 25C, i
F
= 25A
v
F
1,65 2,20
V
forward voltage
T
vj
= 125C, i
F
= 25A
1,55
Sperrverzgerungsladung
i
FM
= 25A, -di/dt = 800A/s, v
R
= 600V
Q
r
recovered charge
T
vj
= 25C
2,3
As
T
vj
= 125C
6,0
As
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 2(12)
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier,
= 120rect
R
thJC
max.
1,10
C/W
thermal resistance, junction to case
Transistor / Transistor, DC
max.
0,35
C/W
Schnelle Diode / Fast diode, DC
max.
1,00
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
Gleichrichter / Rectifier
R
thCK
max.
0,30
C/W
thermal resistance, case to heatsink
Transistor / Transistor
max.
0,20
C/W
Schnelle Diode / Fast diode
max.
0,30
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
T
vj max
125
C
max. junction temperature
Betriebstemperatur
T
c op
- 40...+125
C
operating temperature
Lagertemperatur
T
stg
- 40...+130
C
storage temperature
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
Seite 4
case, see appendix
page 4
CTI
225
V
comperative tracking index
Innere Isolation
Al
2
O
3
internal insulation
Anzugsdrehmoment fr mechanische Befestigung
Toleranz / tolerance 15%
M1
4
Nm
mounting torque
Gewicht
G
typ.
185
g
weight
Kriechstrecke
12,5
mm
creepage distance
Schwingfestigkeit
f = 50Hz
50
m/s
vibration resistance
Temperatursensor / Temperature sensor
Nennwiderstand
T
C
= 25C
R
25
5
k
rated resistance
R
100
= 493
5%
Verlustleistung
P
25
max.
20
mW
power dissipation
B-Wert
R
2
= R
1
exp [B(1/T
1
- 1/T
2
)]
B
25/50
3375
K
B-value
Mit dieser technischen Information werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Sie gilt in Verbindung
mit den zugehrigen Technischen Erluterungen. / This technical Information specifies semiconductor devices but promises no characteristics.
It is valid in combination with the belonging technical notes.
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 3(12)
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 4(12)
Technische Information / Technical Information
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC, Gleichrichter
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC, rectifier
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
0,4090
0,3032
0,0508
0,0367
0,0300
0,0190
0,0140
0,0003
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 5(12)
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
[
]
R
C W
thn
/
[ ]
n
s
=
-


-
=
max
1
1
:
n
n
t
thn
thJC
n
e
R
Z
Funktion
e
Analytisch
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Grenzdurchlakennlinie / Limiting on-state characteristic i
T
= f(v
T
)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 6(12)
Tvj = 125C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
0,2
0,4
0,6
0,8
1
1,2
1,4
1,6
1,8
2
v
T
[V]
i
T
[A]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperatur T
C
= f(I
d
)
Parameter: Stromrichterschaltung / converter circuit
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 7(12)
B2: 180
sin
B6: 120
rect
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
I
d
[A]
T
C
[C]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
; v
R
= 0,5V
RRM
; v
RM
= 0,8V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
TM
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 8(12)
20A
50A
100A
250A
100
1000
1
10
100
- di/dt [A/s]
Q
r
[As]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Transienter innerer Wrmewiderstand Gleichrichter / Transient thermal impedance rectifier Z
thJC
= f(t)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 9(12)
180 rect
120 rect
60 rect
180 sin
DC
0,00
0,20
0,40
0,60
0,80
1,00
1,20
1,40
0,001
0,01
0,1
1
t [s]
Z
thJC
[C/W]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Ausgangskennlinienfeld Brems-Chopper-IGBT (typisch) / Output characteristic brake-chopper-IGBT (typical)
v
GE
= 15V,
i
C
= f(v
CE
)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 10(12)
Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
0
0,5
1
1,5
2
2,5
3
3,5
4
v
CE
[V]
i
C
[A]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
Durchlakennlinie der Brems-Chopper-Diode (typisch) / On-state characteristic of brake-chopper-FWD (typical)
i
F
= f(v
F
)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 11(12)
Tvj = 25C
Tvj = 125C
0
10
20
30
40
50
0
0,5
1
1,5
2
2,5
v
F
[V]
i
F
[A]
Technische Information / Technical Information
Thyristor-Modul mit Chopper-IGBT
Thyristor Module with Chopper-IGBT
TD B6HK 74 N 16 RR
N
B6
NTC-Temperaturkennlinie (typisch) / NTC-temperature characteristic (typical) R = f(T)
BIP AM; R. Jrke
19. Dez 00
Seite/page 12(12)
0,1
1
10
100
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
T [C]
R [k
]