N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
1/12
Seite/page
Kenndaten
Elektrische Eigenschaften
TT500N
TD500N
DT500N
TT500N...-A
TD500N...-A
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hchstzulssige Werte / Maximum rated values
Periodische Vorwrts- und Rckwrts-Spitzensperrspannung
repetitive peak forward off-state and reverse voltages
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DRM
,V
RRM
1200
1600
1400
1800
V
V
Vorwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak forward off-state voltage
T
vj
= -40C... T
vj max
V
DSM
1200
1600
1400
1800
V
V
Rckwrts-Stospitzensperrspannung
non-repetitive peak reverse voltage
T
vj
= +25C... T
vj max
V
RSM
1300
1700
1500
1900
V
V
Durchlastrom-Grenzeffektivwert
maximum RMS on-state current
I
TRMSM
900 A
Dauergrenzstrom
average on-state current
T
C
= 85C
T
C
= 77C
I
TAVM
500
573
A
A
Stostrom-Grenzwert
surge current
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
I
TSM
17000
14500
A
A
Grenzlastintegral
It-value
T
vj
= 25 C, t
P
= 10 ms
T
vj
= T
vj max
, t
P
= 10 ms
It
1445000
1051000
As
As
Kritische Stromsteilheit
critical rate of rise of on-state current
DIN IEC 747-6
f = 50 Hz, i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
(di
T
/dt)
cr
200 A/s
Kritische Spannungssteilheit
critical rate of rise of off-state voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,67 V
DRM
6.Kennbuchstabe / 6
th
letter F
(dv
D
/dt)
cr
1000 V/s
Charakteristische Werte / Characteristic values
Durchlaspannung
on-state voltage
T
vj
= T
vj max
, i
T
= 1700 A
v
T
max.
1,53 V
Schleusenspannung
threshold voltage
T
vj
= T
vj max
V
(TO)
0,9 V
Ersatzwiderstand
slope resistance
T
vj
= T
vj max
r
T
0,27 m
Zndstrom
gate trigger current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
I
GT
max.
250 mA
Zndspannung
gate trigger voltage
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V
V
GT
max.
2,2 V
Nicht zndender Steuerstrom
gate non-trigger current
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 6 V
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
I
GD
max.
max.
10
5
mA
mA
Nicht zndende Steuerspannung
gate non-trigger voltage
T
vj
= T
vj max
, v
D
= 0,5 V
DRM
V
GD
max.
0,25 V
Haltestrom
holding current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
A
= 5
I
H
max.
300 mA
Einraststrom
latching current
T
vj
= 25C, v
D
= 6 V, R
GK
10
i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s, t
g
= 20 s
I
L
max.
1500 mA
Vorwrts- und Rckwrts-Sperrstrom
forward off-state and reverse current
T
vj
= T
vj max
v
D
= V
DRM
, v
R
= V
RRM
i
D
, i
R
max.
100 mA
Zndverzug
gate controlled delay time
DIN IEC 747-6
T
vj
= 25 C,i
GM
= 1 A, di
G
/dt = 1 A/s
t
gd
max.
4 s
prepared by: C.Drilling
date of publication:
19.12.02
approved by: J. Novotny
revision:
1
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
2/12
Seite/page
Thermische Eigenschaften
Mechanische Eigenschaften
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Charakteristische Werte / Characteristic values
Freiwerdezeit
circuit commutated turn-off time
T
vj
= T
vj max
, i
TM
= I
TAVM
v
RM
= 100 V, v
DM
= 0,67 V
DRM
dv
D
/dt = 20 V/s, -di
T
/dt = 10 A/s
5.Kennbuchstabe / 5
th
letter O
t
q
typ.
250 s
Isolations-Prfspannung
insulation test voltage
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min
RMS, f = 50 Hz, t = 1 sec
V
ISOL
3,0
3,6
kV
kV
Thermische Eigenschaften / Thermal properties
Innerer Wrmewiderstand
thermal resistance, junction to case
pro Modul / per Module, = 180 sin
pro Zweig / per arm, = 180 sin
pro Modul / per Module, DC
pro Zweig / per arm, DC
R
thJC
max.
max.
max.
max.
0,0325
0,0650
0,0310
0,0620
C/W
C/W
C/W
C/W
bergangs-Wrmewiderstand
thermal resistance, case to heatsink
pro Modul / per Module
pro Zweig / per arm
R
thCH
max.
max.
0,01
0,02
C/W
C/W
Hchstzulssige Sperrschichttemperatur
maximum junction temperature
T
vj max
125 C
Betriebstemperatur
operating temperature
T
c op
-40...+125 C
Lagertemperatur
storage temperature
T
stg
-40...+130 C
Mechanische Eigenschaften / Mechanical properties
Gehuse, siehe Anlage
case, see annex
Seite 3
page 3
Si-Element mit Druckkontakt
Si-pellet with pressure contact
Innere Isolation
internal insulation
AlN
Anzugsdrehmoment fr mechanische Anschlsse
mounting torque
Toleranz / Tolerance 15%
M1
6
Nm
Anzugsdrehmoment fr elektrische Anschlsse
terminal connection torque
Toleranz / Tolerance 10%
M2
12
Nm
Steueranschlsse
control terminals
DIN 46 244
A 2,8 x 0,8
Gewicht
weight
G
typ.
1500 g
Kriechstrecke
creepage distance
19 mm
Schwingfestigkeit
vibration resistance
f = 50 Hz
50 m/s
file-No.
E 83336
Mit diesem Datenblatt werden Halbleiterbauelemente spezifiziert, jedoch keine Eigenschaften zugesichert. Es gilt in
Verbindung mit den zugehrigen technischen Erluterungen.
This data sheet specifies semiconductor devices, but promises no characteristics. It is valid in combination with the belonging
technical notes.
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
3/12
Seite/page
Mabild
Mabild
Mabild
1
2
3
TT
4 5
7 6
1
2
3
TD
4 5
1
2
3
DT
7 6
1
2
3
TT-A
4 5
7
6
1
2
3
TD-A
4 5
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
4/12
Seite/page
R,T Werte
Di
R,T-Werte
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thJC
fr DC
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thJC
for DC
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,00137
0,00486
0,0114
0,0223
0,0221
n
[s]
0,00076
0,0086
0,101
0,56
3,12
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thJC
n
t
- e
1
R
Z
Luftselbstkhlung / Natural cooling
1 Modul pro Khlkrper / 1 module per heatsink
Khlkrper / Heatsink type: KM
17 (120W)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,00944
0,0576
0,568
n
[s]
2,61
28,1
1300
Verstrkte Khlung / Forced cooling
1 Modul pro Khlkrper / 1 module per heatsink
Khlkrper / Heatsink type: KM17 (Papst 4650N)
Analytische Elemente des transienten Wrmewiderstandes Z
thCA
Analytical elements of transient thermal impedance Z
thCA
Pos. n
1
2
3
4
5
6
7
R
thn
[C/W]
0,0064
0,0566
0,168
n
[s]
4,1
24,7
395
Analytische Funktion / Analytical function:
S
=
t
max
n
n=1
thn
thCA
n
t
- e
1
R
Z
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
5/12
Seite/page
Diagramme
Trans. Wrmewiderstand bei Sinus
Trans. Wrmewiderstand bei Rechteck
0,000
0,020
0,040
0,060
0,080
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
Z
(th
)J
C
[
C/W
]
0
0
180
=
30
60
90
120
180
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
0,000
0,020
0,040
0,060
0,080
0,001
0,01
0,1
1
10
100
t [s]
=
30
60
90
120
180
DC
0
0
180
Transienter innerer Wrmewiderstand je Zweig / Transient thermal impedance per arm Z
thJC
= f(t)
Rechteckfrmiger Strom / Rectangular current
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
6/12
Seite/page
Diagramme
Durchgangsverluste bei Sinus
Durchgangsverluste bei Rechteck
0
100
200
300
400
500
600
700
800
0
100
200
300
400
500
600
I
TAV
[A]
P
TAV
[W
]
Q = 30
60
90
120
180
0
0
180
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
0
200
400
600
800
1000
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
TAV
[A]
DC
180
120
90
60
Q = 30
0
0
180
Durchlassverlustleistung je Zweig / On-state power loss per arm P
TAV
= f(I
TAV
)
Rechteckfrmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
7/12
Seite/page
Gehusetemperatur bei Sinus
Gehusetemperatur bei Rechteck
20
40
60
80
100
120
140
0
100
200
300
400
500
600
I
TAVM
[A]
T
C
[
C]
Q = 30
60
90
120
180
0
0
180
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Sinusfrmiger Strom / Sinusoidal current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
20
40
60
80
100
120
140
0
100
200
300
400
500
600
700
800
900
I
TAVM
[A]
Q = 30
60
90
120
180
DC
0
0
180
Hchstzulssige Gehusetemperatur / Maximum allowable case temperature T
C
= f(I
TAVM
)
Rechteckfrmiger Strom / Rectangular current Strombelastung je Zweig / Current load per arm
Berechnungsgrundlage P
TAV
(Schaltverluste gesondert bercksichtigen)
Calculation base P
TAV
(switching losses should be considered separately)
Parameter: Stromfluwinkel / Current conduction angle
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
8/12
Seite/page
Maximaler Strom bei B2 und B6
0
500
1000
1500
2000
2500
3000
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
R
thCA
[C/W]
0,03
0,10
0,15
0,04
0,015
0,06
+
-
B2
I
D
~
0,01
0,02
0,08
0,20
0,30
0
200
400
600
800
1000
1200
I
D
[A]
L-Last
L-load
R-Last
R-load
Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B2- Zweipuls-Brckenschaltung / Two-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
0
1000
2000
3000
4000
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
0,03
0,04
0,025
0,20
0,01
+
-
B6
I
D
3~
R
thCA
[C/W]
0,15
0,40
0,015
0,10
0,06
,
0,02
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
1600
I
D
[A]
Hchstzulssiger Ausgangsstrom / Maximum rated output current I
D
B6- Sechspuls-Brckenschaltung / Six-pulse bridge circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
9/12
Seite/page
Maximaler Strom bei W1C und W3C
0
500
1000
1500
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
R
thCA
[C/W]
0,30
0,60
0,02
0,03
0,04
0,06
0,08
0,10
0,15
0,20
~
~
I
RMS
W
1C
0,40
0,05
0
200
400
600
800
1000
1200
1400
I
RMS
[A]
Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W1C - Einphasen-Wechselwegschaltung / Single-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehuse und Umgebung / Thermal resistance case to ambient R
thCA
0
1000
2000
3000
4000
0
20
40
60
80
100
120
T
A
[C]
R
thCA
[C/W]
0,15
0,20
0,025
0,03
0,01
0,04
0,015
0,10
~
~
W
3C
~
~
I
RMS
~
~
0,06
0,30
0,40
0,02
0
200
400
600
800
1000
1200
I
RMS
[A]
Hchstzulssiger Effektivstrom / Maximum rated RMS current I
RMS
W3C - Dreiphasen-Wechselwegschaltung / Three-phase inverse parallel circuit
Gesamtverlustleistung der Schaltung / Total power dissipation at circuit P
tot
Parameter:
Wrmewiderstand zwischen den Gehusen und Umgebung / Thermal resistance cases to ambient R
thCA
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
10/12
Seite/page
Steuercharakteristik
Zndverzug
0,1
1
10
100
10
100
1000
10000
i
G
[mA]
a
b
c
Steuercharakteristik v
G
= f (i
G
) mit Zndbereichen fr V
D
= 6 V
Gate characteristic v
G
= f (i
G
) with triggering area for V
D
= 6 V
Hchstzulssige Spitzensteuerverlustleistung / Maximum rated
peak gate power dissipation P
GM
= f (t
g
) :
a - 20 W/10ms b - 40 W/1ms c - 60 W/0,5ms
0,1
1
10
100
1000
100
1000
10000
i
GM
[mA]
a
b
Zndverzug / Gate controlled delay time t
gd
= f(i
G
)
T
vj
= 25C, di
G
/dt = i
GM
/1s
a - maximaler Verlauf / Limiting characteristic
b - typischer Verlauf / Typical characteristic
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
11/12
Seite/page
Sperrverzgerungsladung
Grenzstrom
100
1000
10000
1
10
100
-di/dt [A/s]
i
TM
= 2000A
20A
50A
100A
200A
500A
1000A
Sperrverzgerungsladung / Recovered charge Q
r
= f(-di/dt)
T
vj
= T
vjmax
, v
R
0,5 V
RRM
, v
RM
= 0,8 V
RRM
Parameter: Durchlastrom / On-state current i
TM
0
2.000
4.000
6.000
8.000
10.000
12.000
0,01
0,1
1
t [s]
b
T
A
= 45C
a
T
A
= 35 C
Grenzstrom / Maximum overload on-state current I
T(OV)M
= f(t), v
RM
= 0,8 V
RRM
a: Leerlauf / No-load conditions
b: nach Belastung mit I
TAVM
/ after load with I
TAVM
T
A
= 35C, verstrkte Luftkhlung / Forced air cooling
T
A
= 45C, Luftselbstkhlung / Natural air cooling
N
Netz-Thyristor-Modul
Phase Control Thyristor
Module
Datenblatt / Data sheet
TT500N
BIP AC / 05.08.96 R.Jrke
A 33/94
12/12
Seite/page
berstrom
0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
I
TAV (vor)
=
0 A
40 A
65 A
85 A
100 A
110 A
berstrom je Zweig / Overload on-state current I
T(OV)
B6- Sechspuls-Brckenschaltung, 120 Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120 rectangular
Khlkrper / Heatsink type KM 17 (120W) Luftselbstkhlung bei / Natural cooling at T
A
= 45C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
TAV(vor)
0
1.000
2.000
3.000
4.000
5.000
6.000
7.000
0,01
0,1
1
10
100
1000
10000
t [s]
I
TAV (vor)
=
0 A
90 A
160 A
200 A
235 A
260 A
berstrom je Zweig / Overload on-state current I
T(OV)
B6- Sechspuls-Brckenschaltung, 120 Rechteck / Six-pulse bridge circuit, 120 rectangular
Khlkrper / Heatsink type KM17 (Papst 4650N) Verstrkte Khlung bei / Forced cooling at T
A
= 35C
Parameter: Vorlaststrom je Zweig / Pre-load current per arm I
TAV(vor)
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