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Электронный компонент: HYMD564M646AL6-H

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HYMD564M646A(L)6(rev0.2).fm
background image
64Mx64 bits
Unbuffered DDR SO-DIMM
This document is a general product description and is subject to change without notice. Hynix Semiconductor does not assume any
responsibility for use of circuits described. No patent licenses are implied.
Rev. 0.2 / June 2003 1
HYMD564M646A(L)6-J/K/H
DESCRIPTION
Hynix HYMD564M646A(L)6-J/K/H series is unbuffered 200-pin double data rate Synchronous DRAM Small Outline
Dual In-Line Memory Modules (SO-DIMMs) which are organized as 64Mx64 high-speed memory arrays. Hynix
HYMD564M646A(L)6-J/K/H series consists of eight 32Mx16 DDR SDRAM in 400mil TSOP II packages on a 200pin
glass-epoxy substrate. Hynix HYMD564M646A(L)6-J/K/H series provide a high performance 8-byte interface in
67.60mmX 31.75mm form factor of industry standard. It is suitable for easy interchange and addition.
Hynix HYMD564M646A(L)6-J/K/H series is designed for high speed of up to 166MHz and offers fully synchronous
operations referenced to both rising and falling edges of differential clock inputs. While all addresses and control inputs
are latched on the rising edges of the clock, Data, Data strobes and Write data masks inputs are sampled on both ris-
ing and falling edges of it. The data paths are internally pipelined and 2-bit prefetched to achieve very high bandwidth.
All input and output voltage levels are compatible with SSTL_2. High speed frequencies, programmable latencies and
burst lengths allow variety of device operation in high performance memory system.
Hynix HYMD564M646A(L)6-J/K/H series incorporates SPD(serial presence detect). Serial presence detect function is
implemented via a serial 2,048-bit EEPROM. The first 128 bytes of serial PD data are programmed by Hynix to identify
DIMM type, capacity and other the information of DIMM and the last 128 bytes are available to the customer.
FEATURES
ORDERING INFORMATION
Part No.
Power Supply
Clock Frequency
Interface
Form Pactor
HYMD564M646A(L)6-J
V
DD
=2.5V
V
DDQ
=2.5V
166MHz (*DDR333)
SSTL_2
200pin Unbuffered SO-DIMM
67.6mm x 31.75mm x 1mm
HYMD564M646A(L)6-K
133MHz (*DDR266A)
HYMD564M646A(L)6-H
133MHz (*DDR266B)
512MB (64M x 64) Unbuffered DDR SO-DIMM
based on 32Mx16 DDR SDRAM
JEDEC Standard 200-pin small outline dual in-line
memory module (SO-DIMM)
2.5V +/- 0.2V VDD and VDDQ Power supply
All inputs and outputs are compatible with SSTL_2
interface
Fully differential clock operations (CK & /CK) with
133MHz/166MHz
All addresses and control inputs except Data, Data
strobes and Data masks latched on the rising edges
of the clock
Data(DQ), Data strobes and Write masks latched on
both rising and falling edges of the clock
Data inputs on DQS centers when write (centered
DQ)
Data strobes synchronized with output data for read
and input data for write
Programmable CAS Latency 2 / 2.5 supported
Programmable Burst Length 2 / 4 / 8 with both
sequential and interleave mode
tRAS Lock-out function supported
Internal four bank operations with single pulsed RAS
Auto refresh and self refresh supported
8192 refresh cycles / 64ms
* JEDEC Defined Specifications compliant
Preliminary
background image
HYMD564M646A(L)6-J/K/H
Rev. 0.2 / June 2003
2
PIN DESCRIPTION
PIN ASSIGNMENT
Pin
Pin Description
Pin
Pin Description
CK0, /CK0, CK1, /CK1
Differential Clock Inputs
VDDQ
DQs Power Supply
CS0, CS1
Chip Select Input
VSS
Ground
CKE0, CKE1
Clock Enable Input
VREF
Reference Power Supply
/RAS, /CAS, /WE
Commend Sets Inputs
VDDSPD
Power Supply for SPD
A0 ~ A12
Address
SA0~SA2
E
2
PROM Address Inputs
BA0, BA1
Bank Address
SCL
E
2
PROM Clock
DQ0~DQ63
Data Inputs/Outputs
SDA
E
2
PROM Data I/O
DQS0~DQS7
Data Strobe Inputs/Outputs
VDDID
VDD Identification Flag
DM0~DM7
Data-in Mask
DU
Do not Use
VDD
Power Supply
NC
No Connection
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
Pin
Name
1
VREF
2
VREF
51
VSS
52
VSS
101
A9
102
A8
151
DQ42
152
DQ46
3
VSS
4
VSS
53
DQ19
54
DQ23
103
VSS
104
VSS
153
DQ43
154
DQ47
5
DQ0
6
DQ4
55
DQ24
56
DQ28
105
A7
106
A6
155
VDD
156
VDD
7
DQ1
8
DQ5
57
VDD
58
VDD
107
A5
108
A4
157
VDD
158
/CK1
9
VDD
10
VDD
59
DQ25
60
DQ29
109
A3
110
A2
159
VSS
160
CK1
11
DQS0
12
DM0
61
DQS3
62
DM3
111
A1
112
A0
161
VSS
162
VSS
13
DQ2
14
DQ6
63
VSS
64
VSS
113
VDD
114
VDD
163
DQ48
164
DQ52
15
VSS
16
VSS
65
DQ26
66
DQ30
115
A10/AP
116
BA1
165
DQ49
166
DQ53
17
DQ3
18
DQ7
67
DQ27
68
DQ31
117
BA0
118
/RAS
167
VDD
168
VDD
19
DQ8
20
DQ12
69
VDD
70
VDD
119
/WE
120
/CAS
169
DQS6
170
DM6
21
VDD
22
VDD
71
NC
72
NC
121
/CS0
122
/CS1
171
DQ50
172
DQ54
23
DQ9
24
DQ13
73
NC
74
NC
123
DU
124
DU
173
VSS
174
VSS
25
DQS1
26
DM1
75
VSS
76
VSS
125
VSS
126
VSS
175
DQ51
176
DQ55
27
VSS
28
VSS
77
NC
78
NC
127
DQ32
128
DQ36
177
DQ56
178
DQ60
29
DQ10
30
DQ14
79
NC
80
NC
129
DQ33
130
DQ37
179
VDD
180
VDD
31
DQ11
32
DQ15
81
VDD
82
VDD
131
VDD
132
VDD
181
DQ57
182
DQ61
33
VDD
34
VDD
83
NC
84
NC
133
DQS4
134
DM4
183
DQS7
184
DM7
35
CK0
36
VDD
85
DU
86
DU
135
DQ34
136
DQ38
185
VSS
186
VSS
37
/CK0
38
VSS
87
VSS
88
VSS
137
VSS
138
VSS
187
DQ58
188
DQ62
39
VSS
40
VSS
89
NC
90
VSS
139
DQ35
140
DQ39
189
DQ59
190
DQ63
41
DQ16
42
DQ20
91
NC
92
VDD
141
DQ40
142
DQ44
191
VDD
192
VDD
43
DQ17
44
DQ21
93
VDD
94
VDD
143
VDD
144
VDD
193
SDA
194
SA0
45
VDD
46
VDD
95
CKE1
96
CKE0
145
DQ41
146
DQ45
195
SCL
196
SA1
47
DQS2
48
DM2
97
NC
98
DU
147
DQS5
148
DM5
197 VDDSPD 198
SA2
49
DQ18
50
DQ22
99
A12
100
A11
149
VSS
150
VSS
199
VDDID
200
DU
background image
HYMD564M646A(L)6-J/K/H
Rev. 0.2 / June 2003
3
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM
/CS0
D0
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
DQS0
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM1
DQS1
D4
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D1
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM2
DQS2
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM3
DQS3
D5
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D2
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM4
DQS4
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM5
DQS5
D6
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D3
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM6
DQS6
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM7
DQS7
D7
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
/CS1
BA0-BA1
SDRAMs D0 D7
A0 - A12
SDRAMs D0 D7
/RAS
SDRAMs D0 D7
/CAS
SDRAMs D0 D7
/WE
SDRAMs D0 D7
CKE0
SDRAMs D0 D3
CKE1 SDRAMz D4 - D7
.
VDDSPD
VREF
VSS
VDDID
SPD
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
=
.
=
.
.
=
.
.
.
. .
Strap:see Note 4
VDD/VDDQ
Notes:
DQ wiring may differ from that described in this drawing ;
however DQ/DM/DQS relationship are maintained as shown.
VDDID strap connections;
(for memory device VDD, VDDQ) :
Strap out :(open) : VDD=VDDQ
Strap In (Vss) : VDD= VDDQ
Serial PD
WP
SCL
SA0
SA1
SA2
SDA
A0
A1
A2
/CS0
D0
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
DQS0
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM1
DQS1
D4
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D1
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM2
DQS2
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM3
DQS3
D5
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D2
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM4
DQS4
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM5
DQS5
D6
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D3
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM6
DQS6
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM7
DQS7
D7
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
/CS1
/CS0
D0
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
DQS0
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM1
DQS1
D4
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D0
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DM0
DQS0
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DM1
DQS1
D4
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D1
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DM2
DQS2
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DM3
DQS3
D5
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D2
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM4
DQS4
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM5
DQS5
D6
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D2
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DM4
DQS4
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DM5
DQS5
D6
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
D3
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DM6
DQS6
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DM7
DQS7
D7
/CS
LDQS
LDM
I/O 0
I/O 1
I/O 2
I/O 3
I/O 4
I/O 5
I/O 6
I/O 7
UDQS
UDM
I/O 8
I/O 9
I/O 10
I/O 11
I/O 12
I/O 13
I/O 14
I/O 15
/CS1
BA0-BA1
SDRAMs D0 D7
A0 - A12
SDRAMs D0 D7
/RAS
SDRAMs D0 D7
/CAS
SDRAMs D0 D7
/WE
SDRAMs D0 D7
CKE0
SDRAMs D0 D3
CKE1 SDRAMz D4 - D7
BA0-BA1
SDRAMs D0 D7
A0 - A12
SDRAMs D0 D7
/RAS
SDRAMs D0 D7
/CAS
SDRAMs D0 D7
/WE
SDRAMs D0 D7
CKE0
SDRAMs D0 D3
CKE1 SDRAMz D4 - D7
.
VDDSPD
VREF
VSS
VDDID
SPD
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
=
.
=
.
.
=
.
.
.
. .
Strap:see Note 4
VDD/VDDQ
.
VDDSPD
VREF
VSS
VDDID
SPD
D0 - D7
D0 - D7
D0 - D7
=
.
=
.
.
=
.
.
.
. .
Strap:see Note 4
VDD/VDDQ
Notes:
DQ wiring may differ from that described in this drawing ;
however DQ/DM/DQS relationship are maintained as shown.
VDDID strap connections;
(for memory device VDD, VDDQ) :
Strap out :(open) : VDD=VDDQ
Strap In (Vss) : VDD= VDDQ
Serial PD
WP
SCL
SA0
SA1
SA2
SDA
A0
A1
A2
Serial PD
WP
SCL
SA0
SA1
SA2
SDA
A0
A1
A2
background image
HYMD564M646A(L)6-J/K/H
Rev. 0.2 / June 2003
4
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Note : Operation at above absolute maximum rating can adversely affect device reliability
DC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. V
DDQ
must not exceed the level of V
DD
.
2. V
IL
(min) is acceptable -1.5V AC pulse width with < 5ns of duration.
3. The value of V
REF
is approximately equal to 0.5V
DDQ
.
AC OPERATING CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to V
SS
= 0V)
Note :
1. VID is the magnitude of the difference between the input level on CK and the input on /CK.
2. The value of V IX is expected to equal 0.5*V DDQ of the transmitting device and must track variations in the DC level of the same.
Parameter
Symbol
Rating
Unit
Ambient Temperature
T
A
0 ~ 70
o
C
Storage Temperature
T
STG
-55 ~ 125
o
C
Voltage on Any Pin relative to V
SS
V
IN
, V
OUT
-0.5 ~ 3.6
V
Voltage on V
DD
relative to V
SS
V
DD
-0.5 ~ 3.6
V
Voltage on V
DDQ
relative to V
SS
V
DDQ
-0.5 ~ 3.6
V
Output Short Circuit Current
I
OS
50
mA
Power Dissipation
P
D
8
W
Soldering Temperature Time
T
SOLDER
260 / 10
o
C / Sec
Parameter
Symbol
Min
Typ.
Max
Unit
Note
Power Supply Voltage
V
DD
2.3
2.5
2.7
V
Power Supply Voltage
V
DDQ
2.3
2.5
2.7
V
1
Input High Voltage
V
IH
V
REF
+ 0.15
-
V
DDQ
+ 0.3
V
Input Low Voltage
V
IL
-0.3
-
V
REF
- 0.15
V
2
Termination Voltage
V
TT
V
REF
- 0.04
V
REF
V
REF
+ 0.04
V
Reference Voltage
V
REF
0.49*VDDQ
0.5*VDDQ
0.51*VDDQ
V
3
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
Note
Input High (Logic 1) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IH(AC)
V
REF
+ 0.31
V
Input Low (Logic 0) Voltage, DQ, DQS and DM signals
V
IL(AC)
V
REF
- 0.31
V
Input Differential Voltage, CK and /CK inputs
V
ID(AC)
0.7
V
DDQ
+ 0.6
V
1
Input Crossing Point Voltage, CK and /CK inputs
V
IX(AC)
0.5*V
DDQ
-0.2
0.5*V
DDQ
+0.2
V
2
background image
HYMD564M646A(L)6-J/K/H
Rev. 0.2 / June 2003
5
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(TA=0 to 70
o
C, Voltage referenced to VSS = 0V)
Parameter
Value
Unit
Reference Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
Termination Voltage
V
DDQ
x 0.5
V
AC Input High Level Voltage (V
IH
, min)
V
REF
+ 0.31
V
AC Input Low Level Voltage (V
IL
, max)
V
REF
- 0.31
V
Input Timing Measurement Reference Level Voltage
V
REF
V
Output Timing Measurement Reference Level Voltage
V
TT
V
Input Signal maximum peak swing
1.5
V
Input minimum Signal Slew Rate
1
V/ns
Termination Resistor (R
T
)
50
W
Series Resistor (R
S
)
25
W
Output Load Capacitance for Access Time Measurement (C
L
)
30
pF