ТЕХНИЧЕСКИЕ ДАННЫЕ
IL386
Низковольтный мощный аудиоусилитель
ИМС IL386 представляет собой мощный усилитель предназна-
ченный для использования в низковольтной бытовой аппаратуре.
Внутренний коэффициент усиления с сохранением минимального
количества навесных элементов достигает 20, но при добавлении
внешних резистора и конденсатора между выводами 1 и 8 коэффи-
циент усиления будет достигать 200.
N SUFFIX
PLASTIC
D SUFFIX
SOIC
1
8
1
8
ОБОЗНАЧЕНИЕ
МИКРОСХЕМЫ
IL386N
пластмассовый
IL386D
SOIC
IZ386
кристалл
T
A
= 0
њ to 70њ C для всех типов
корпусов
При заземлении входов на выходе автоматически устанавливает-
ся половина питающего напряжения. Потребляемая мощность в ре-
жиме покоя 24 мВт при напряжении питания 6В, ИМС IL386 иде-
ально подходит для работы от батарейных систем.
ћ Работа от батарейных систем
ћ Минимальное количество навесных элементов
ћ Диапазон напряжения питания: 4 В - 12 В
ћ Низкое потребление тока в режиме покоя: 4 мA
ћ Коэффициент усиления по напряжению от 20 до 200
ћ Заземление входа
ћ Само-центрирование выходного напряжения
ћ Низкий уровень искажения
ћ 8-ми выводной DIL корпус
ЛОГИЧЕСКАЯ СХЕМА
ВЫВОД 4 = GND
ВЫВОД 6 = V
СС
НАЗНАЧЕНИЕ ВЫВОДОВ
1
2
3
4
GAIN 2
8
7
6
5
GND
Vcc
+INPUT
-INPUT
GAIN 1
BYPASS
V
OUT
1
ИНТЕГРАЛ
IL386
ПРЕДЕЛЬНЫЕ РЕЖИМЫ
*
Обознач.
параметра
Наименование параметра
Норма,
не более
Един.
измерен.
V
CC
Напряжение питания 15
В
V
IN
Входное напряжение
0.4
В
P
D
Рассеиваемая мощность 1.25
Вт
Tstg
Температура хранения
-65 to +150
њC
T
J
Температура кристалла 150
њC
T
L
Допустимая температура вывода на расстоянии
1,0 мм от корпуса в течение 10 сек.
260
њC
*
Превышение предельных режимов может привести к катастрофическому отказу микросхемы.
Рабочие режимы должны соответствовать предельно допустимым режимам, приведенным ниже.
ПРЕДЕЛЬНО ДОПУСТИМЫЕ РЕЖИМЫ
Норма
Обозначен.
параметра
Наименование
параметра
не менее
не более
Един.
измерен.
V
CC
Напряжение питания 4.0
12
В
T
A
Рабочая температура для всех типов корпусов 0 +70
њC
ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
(T
A
= 25
њC)
Норма
Обознач.
параметра
Наименование
параметра
Режим измерения
Не менее
Не более
Един.
измер.
V
CC
Рабочее напряже-
ние питания
4
12
В
I
CC
Ток потребления
V
CC
= 6 В, V
IN
= 0
8
мA
P
O
Выходная мощ-
ность
V
CC
= 6 В, R
L
= 8 Ом, THD=10%
V
CC
= 9 В, R
L
= 8 Ом, THD=10%
500
1000
мВт
A
V
Коэффициент
усиления напря-
жения
V
CC
= 6 В, f=1 кГц
10мкФ между выводами 1 и 8
17
170
23
230
dB
BW
Полоса пропуска-
ния
V
CC
= 6 В, вывода 1 и 8 открыты 250
кГц
THD
Коэффициент гар-
моник
V
CC
= 6 В, R
L
=8 Ом,
P
OUT
=125 мВт, f=1 кГц,
вывода 1 и 8 открыты
1.0
%
R
IN
Входное сопро-
тивление
30
100
кОм
I
B
Входной ток
V
CC
= 6 В, вывода 2 и 3 открыты 400 нA
2
ИНТЕГРАЛ
IL386
ТИПОВЫЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ ПАРАМЕТРЫ
(T
A
=25
њC)
Обознач.
параметра
Наименование
параметр
Режим измерения
Норма
Един.
измер.
BW
Полоса пропускания
V
CC
= 6 В, вывода 1 и 8 открыты 300 KГц
THD
Коэффициент гармо-
ник
V
CC
= 6 В, R
L
=8 Ом,
P
OUT
=125 мВт, f=1 КГц,
вывода 1 и 8 открыты
0.2 %
PSRR
Коэффициент влия-
ния нестабильности
источника питания
V
+
= 6 В, f=1 КГц, C
BYPASS
=10 мкФ,
вывода 1 и 8 открыты
50 DB
R
IN
Входное сопротивле-
ние
50
KОм
I
B
Входной ток
V
CC
= 6В, вывода 2 и 3 открыты 250 нA
3
ИНТЕГРАЛ
IL386
ПЛАН КРИСТАЛЛА IZ386
09 08
07
1.35 + 0.03
1.
4 + 0.03
06
05
04
03
(0,0)
02
01
Технологическая
маркировка
386
(x=0.088, y=0.708)
Размер контактных площадок 0.130
0.130 мм (размер указан по слою металлизация)
Толщина кристалла 0.46
0,02 мм
РАСПОЛОЖЕНИЕ КОНТАКТНЫХ ПЛОЩАДОК
Номер
контактной
площадки
Обозначение
X Y
01 GAIN
1
0.095 0.750
02 -
INPUT
0.095 0.440
03 +
INPUT
0.095 0.090
04 GND
0.515
0.090
05 GND
0.885
0.330
06 V
OUT
0.885 0.940
07 V
СС
0.525 1.180
08 BYPASS
0.285 1.180
09 GAIN
2
0.095 1.180
4
ИНТЕГРАЛ
PDF 
ZIP