ChipFind - документация

Электронный компонент: 2Д 664А

Скачать:  PDF   ZIP
2Д 664А,Б,АС,БС
Силовые быстровосстанавливающиеся диоды


Максимальные электрические характеристики


Электрические характеристики
Кремниевые меза-планарные силовые быстровосстанавливающиеся диоды в
металлокерамическом корпусе, предназначенные для применения при создании более
надежных, экономичных систем в преобразователях напряжения, частотно
управляемых электроприводов, импульсных источников питания, мониторов и
телевизионных приемников высокой четкости.
Наименование параметра,
единицы измерения
Букв.
обознач.
2Д664А,
2Д664АС
2Д664Б,
2Д664БС
Максимально допустимое повторяющееся импульсное обратное напряжение, В
U
обр и, п
1200
800
Максимально допустимое неповторяющееся импульсное обратное напряжение, В
U
обр и, нп
1200
800
Максимально допустимый прямой
повторяющийся импульсный ток, А
(форма импульса - синусоидальная, длительность
импульса - < 10мкс, частота повторения - 10 кГц)
I
пр. и п.
400
400
Максимально допустимый
средний прямой ток,А
I
пр.ср.
45
45
Максимально допустимый
действующий прямой ток, А
I
пр.д.
75
75
Максимально допустимый ударный прямой ток, А
I
пр.уд.
180
180
Максимально допустимая температура перехода, њC
Т
п max
150
150
Наименование параметра,
единица измерения,
режим измерения
Букв.
обознач
Норма
2Д664А,
2Д664АС
Норма
2Д664Б,
2Д664БС
Температура
корпуса, њC
не менее не более не менее не более
Импульсное прямое напряжение, В
Гр. А, Б(I
пр,и
= 45 А)


Гр. АС, БС(I
пр,и
= 45 А)
(оба кристалла)
U
пр,и
2,35
2,35
3,2
2,35
2,35
3,2
2,35
2,35
3,2
2,35
2,35
3,2
25
125
-60
25
125
-60
Импульсный обратный ток, мА
Гр. А - (U
обр.и
= 1200 В)

Гр. АС - (U
обр.и
= 1200 В)
(оба кристалла)

Гр. Б - (U
обр.и
= 800 В)

Гр. БС - (U
обр.и
= 800 В)
(оба кристалла)
I
обр.и
0,5
3,0
1,5
0,5
3,0
1,5






0,5
3,0
1,5
0,5
3,0
25
125
-60
25
125
-60
25
125
-60
25
125
1,5
-60
Время обратного восстановлени,нс
(I
пр, и
= 45 А,
U
сс
= 300 В,
diF/dt = -1000 А/мкс, нс
T
вос, обр
140
140
25
Тепловое сопротивление переход-
корпус, њC/Вт
Гр. А, Б
Гр. АС, БС
(оба кристалла)
R
т п-к
0,5
0,5
0,5
0,5