ChipFind - документация

Электронный компонент: 2Т8144В2

Скачать:  PDF   ZIP
2Т8144А,А1,А2;Б,Б1,Б2;В,В1,В2
Мощный высоковольтный переключательный транзистор


Максимальные электрические характеристики

Электрические характеристики
Кремниевые планарные N-P-N мощные высоковольтные
переключательные транзисторы в металлостеклянном корпусе
КТ-9, металлокерамических корпусах КТ-9М, КТ-9МИ(с
изолированным фланцем) предназначены для использования в
преобразователях частоты системы энергоснабжения самолетов,
для работы в переключающих схемах импульсных модуляторах,
во вторичных источниках питания и другой аппаратуре широкого
применения.
Наименование параметра,
(режим измерения),
единица измерения
Букв.
обознач.
Норма
Примечание
2Т8144А;
2Т8144А1;
2Т8144А2
2Т8144Б;
2Т8144Б1*
2Т8144Б2*
2Т8144В;
2Т8144В1;
2Т8144В2
Максимально допустимое
постоянное напряжение
коллектор-база, В
U
кб мах
800
600
1000
1
Максимально допустимый
постоянный ток
коллектора, А
U
К мах
25
25
25
1
Максимально допустимый
импульсный ток
коллектора, А
I
КИ мах
40
40
40
1
Максимально допустимый
ток базы, А
I
Б мах
6
6
6
1
Максимально допустимый
импульсный ток базы, А
I
би мах
12
12
12
1
Максимально допустимая
постоянная рассеиваемая
мощность коллектора
при температуре корпуса
от минус 60њС до 25њС, Вт
P
к мах
150
150
150
2
Максимально допустимая
температура перехода, њС
T
пер мах
150
150
150
Максимально допустимая
температура корпуса, њС
T
К мах
125
125
125
Наименование
параметра,
(режим измерения),
единица
измерения
Букв.
обознач
Норма
Температура корпуса,С
2Т8144А;
2Т8144А1;
2Т8144А2
2Т8144Б;
2Т8144Б1*;
2Т8144Б2*
2Т8144В;
2Т8144В1;
2Т8144В2
не
не
не
не
не
не

Примечание - Параметры с * относятся к группам транзисторов Б1, Б2.

Временные характеристики
менее
более
менее
более
менее
более
Обратный ток
коллектора, мA
(U
кб
= 800 В), мА

(U
кб
= 600 В), мА

(U
кб
= 1000 В), мА
I
кбо
1
5
5


1
5
5





1
5
5
25
-60
125
25
-60
125
25
-60
125
Обратный ток
эмиттера, мA
(U
эб
= 5 В)
I
эбо
1
1
1
25
Напряжение
насыщения
коллектор-эмиттер, В
(I
к
= 16 А;
I
б
= 3,2 А)
U
кэ нас
1,2
2,5
1,5
1,2
2,5
1,5
1,5
2,5
2,0
25
-60
125
Напряжение
насыщения
база-эмиттер, В
(I
к
= 16 А;
I
б
= 3,2 А)
U
бэ нас
2,5
2,5
2,5
25
Граничное
напряжение, В
(I
к
= 0,1 A;
L=25 мГн)
U
кэо гр
450
400;450*
450
25
Тепловое сопротивление
переход-корпус, С/Вт
R
Т П-К
0,83
0,83
0,83
Энергия вторичного пробоя
(L=0,3мГн, U
БЭ
= -5В,
U
КЭ
=300В,
I
К
=25А,
I
Б
=5А), мДж
Е
ВП
93
93
93
25
Наименование
параметра,
(режим измерения),
единица
измерения
Букв.
обознач
Норма
Температура
корпуса,С
2Т8144А;
2Т8144А1;
2Т8144А2
2Т8144Б;
2Т8144Б1*;
2Т8144Б2*
2Т8144В;
2Т8144В1;
2Т8144В2
не
менее
не
более
не
менее
не
более
не
менее
не
более
Время включения (U
к
=300В , I
К
=10А, I
Б1
= 2А ), мкс
t
вкл
0,4
0,4
0,4
25
Время
рассасывания
(U
к
=300В , I
К
=10А, I
Б1
= - I
Б2
= 2А ), мкс
t
рас
2,0
2,0
2,0
25
Время
спада
(U
к
=300В ,
I
К
=10А,
I
Б1
= - I
Б2
= 2А ), мкс
t
сп
0,5
0,5
0,5
25