ChipFind - документация

Электронный компонент: 2Т 8277 Б

Скачать:  PDF   ZIP

Электрические характеристики
2Т 8277 А,Б


Максимальные электрические характеристики
Кремниевый меза-планарный n-p-n мощный высоковольтный переключательный
транзистор 2Т8227 А,Б в металлокерамическом корпусе предназначен для
использования в преобразователях напряжения, частотно управляемых
электроприводах, импульсных источниках питания, мониторах и телевизионных
приемниках высокой четкости изображения с частотой преобразования 64 кГц и
диагональю экрана более 61 см.
Наименование параметра,единица измерения
Буквеное
обозначение
Норма
2T 8277A
2T 8277Б
Максимально допустимое напряжение
коллектор-эмиттер, В
U
кэо max
700 В
700 В
Максимально допустимое напряжение
коллектора, В
U
кб max
1500 В
1200 В
Максимально допустимое постоянное напряжение эмиттер-база, В
U
эб max
10
В
10
В
Максимально допустимый постоянный ток коллектора, А
I
к max
16
А
16
А
Максимально допустимый импульсный ток коллектора, А
( t
и
<30 мкс, Q>1000 )
I
к и max
22
А
22
А
Максимально допустимый постоянный ток базы, А
I
б мах
9 А
9 А
Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, Вт
(t
корп.
= от - 60 до + 25њС)
Р
к max
200
Вт
200
Вт
Максимально допустимая температура перехода,
њC
Т
пер мах
150
С
150
С
Наименование параметра,
единица измерения, режим
измерения
Буквенное
обозначение
2T 8277A
2T 8277Б
Температура
С
не менее
не более
не менее
не более
Обратный ток коллектор-эмиттер,
mA
(Uкбо = 1500 В)


(Uкбо = 1500 В)
I
кбо
3
5
6





3
5
6
25
-60
125
25
-60
125
Обратный ток эмиттера, мА
(U
бэ
= -10 В)

I
эбо
20
20
25


Временные характеристики
Статический коэффициент передачи
тока
(U
кэ
= 5 В; I
к
12 А; )
h
21э
7
5
5
7
5
5
25
-60
125
Напряжение насыщения коллектор-
эмиттер, В
(I
к
= 12 A; I
б
= 3 A;)
U
кэ нас
1,2
1,7
1,7
1,2
1,7
1,7
25
-60
125
Напряжение насыщения база-
эмиттер, В
(I
к
= 12 A; I
б
= 3 A;)
U
бэ нас
1,5
2,0
2,0
1,5
2,0
2,0
25
-60
125
Граничное напряжение
(I
к
= 0,1 А, L = 25 мГн), В
U
кэо гр
700
700
25
Наименование параметра, единица измерения, режим
измерения
Буквенное
обозначение
2T 8277А
2T 8277Б
Температура
С
не
менее
не
более
не
менее
не
более

Время рассасывания, мкс (I
б1
= 2 А, I
б2
= -6 А, Iк = 12А,
Uк=400 В), мкс
t
pacc
3

3

25

Время спада, мкс (I
б1
= 2 А, I
б2
= -6 А, Iк = 12А, Uк=400 В), мкс
t
сп
0,2

0,2

25

Тепловое сопротивление переход-корпус, С/Вт
п-к
0,63

0,63