Основные

технические

характеристики

позиционно

чувствительной

оптопары

ХАРАКТЕРИСТИКА

Область рабочих температур,

С -20...+85

Эффективная фоточувствительная площадь элемента, мм

1,6

Темновой ток ФДС при U=5 B, нА 1

(<5)

Фототок при U=5 B, Еэ=0.5 мВт/см2, мкА

Разброс значений фототока, %

4,5 (>4)

<10

Спектральный диапазон чувствительности ФДС, нм

320 - 1100

Спектральный диапазон излучения ИД, нм

860 - 890

Емкость ФДС при F=1МГц, U=0 В, пФ <25

Время нарастания (спада) при U = 15 В, R

= 50 Ом, нс 10

(11)

Предельная частота при U = 10 В, R

= 50 Ом, МГц 20

Размер чипа ФДС, мм 2,4x1,1

Размер фоточувствительного окна, мм 2,2х0,9

Число фоточувствительных элементов 8

Межэлементный зазор (по фоточувствительным окнам), мм 0,4

Падение прямого напряжения ИД при I

пр

=30 мА, В <

1,6

Обратный ток при U

обр

= 5 В, мкА <

Плоский угол зрения ФДС (по уровню 0,5), град 120

Плоский угол излучения ИД (по уровню 0,5), град 60

Излучаемая мощность при I = 30 мА, мВт >

Максимальная температура на переходе ИД,

С 100

Синусоидальный ток при f< 13,5 МГц, мА <

150

Габариты без выводов, мм 11,0х8,8х1,4

Document Outline