ChipFind - документация

Электронный компонент: КДФ113А8-2

Скачать:  PDF   ZIP








Основные технические характеристики
фотодиодов КДФ113А8-2
ХАРАКТЕРИСТИКА
ЗНАЧЕНИЕ
Область рабочих температур,
0
С -60...+85
Эффективная фоточувствительная площадь, мм
2
3,25
Темновой ток при U=15 B типичный (max), нА 0,5
(1)
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при:
= 522 нм
= 589 нм
= 680 нм
= 870 нм
-
-
-
0,5
Спектральный диапазон, нм
700 - 1100
Длина волны максимума спектральной
чувствительности при U = 10 В, нм
870
Ток короткого замыкания при 100 лк, мкА 2,1
Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ 50
(15)
Время нарастания (спада) при U = 15 В, R
н
= 50 Ом, нс 12
(12,5)
Предельная частота при U = 15 В, R
н
= 50 Ом, МГц 28
Удельная обнаружительная способность при T = 25
0
C,
= 870 нм, U = 10 мВ, см–Гц/Вт
2 10
13
Сопротивление при нулевом смещении, Мом >
350
Температурный коэффициент темнового тока, n/
0
C 1,15
Размер чипа, мм 2,0x2,0
Размер фоточувствительного элемента, мм 1,8х1,8
Плоский угол зрения по уровню 0,5, град 35
Габариты без выводов, мм
4,8