ChipFind - документация

Электронный компонент: КДФ117А2-3

Скачать:  PDF   ZIP

Document Outline









Основные технические характеристики
фотодиодов КДФ117А2 - 3
ХАРАКТЕРИСТИКА
ЗНАЧЕНИЕ
Область рабочих температур,
0
С -60...+85
Эффективная фоточувствительная площадь, мм
2
10,0
Темновой ток при U=10 B типичный (max), нА 3,0
(30)
Монохроматическая чувствительность, А/Вт при:
= 365 нм
= 660 нм
= 780 нм
= 830 нм
0,12
0,38
0,48
0,50
Спектральный диапазон, нм
320 - 1100
Длина волны максимума спектральной
чувствительности при U = 10 В, нм
890
Ток короткого замыкания при 100 лк, мкА 3,8
Емкость при F=1МГц, U=0 (10) В, пФ 165
(35)
Время нарастания (спада) при U = 15 В, R
н
= 50 Ом, нс 12,5
(13,5)
Предельная частота при U = 15 В, R
н
= 50 Ом, МГц 29
Удельная обнаружительная способность при T = 25
0
C,
= 870 нм, U = 10 мВ, см–Гц/Вт
1,3 10
13
Сопротивление при нулевом смещении, Мом >
125
Температурный коэффициент темнового тока, n/
0
C 1,108
Размер чипа, мм 3,5x3,5
Размер фоточувствительного элемента, мм 3,19х3,19
Плоский угол зрения по уровню 0,5, град 90
Габариты без выводов, мм
8,2