NTE133
NChannel JFET Silicon Transistor
General Purpose AF Amplifier
Absolute Maximum Ratings: (T
A
= +25
C unless otherwise specified)
DrainSource Voltage, V
DS
25V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
DrainGate Voltage, V
DG
25V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GateSource Voltage, V
GS
25V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Gate Current, I
G
10mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Device Dissipation (T
A
= +25
C), P
D
300mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Derate Above 25
C
2mW/
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature Range, T
J
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Lead Temperature (During Soldering, 1/16" from case for 10sec), T
L
+260
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
A
= +25
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
GateSource Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
I
G
= 1
A, V
DS
= 0
25
V
Gate Reverse Current
I
GSS
V
GS
= 20V, V
DS
= 0
1
nA
V
GS
= 20V, V
DS
= 0, T
A
= +150
C
1
A
GateSource Cutoff Voltage
V
GS(off)
I
D
= 1
A, V
DS
= 15V
6.5
V
GateSource Voltage
V
GS
I
D
= 50
A, V
DS
= 15V
0.4
6.0
V
ZeroGateVoltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 15V, V
GS
= 0
0.5
15
mA
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
DS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1kHz
1000
7500
mho
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