NTE5590, NTE5591, NTE5592, NTE5597
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
470 Amp
Absolute Maximum Ratings: (T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Repetitive Peak Voltages, V
RRM
, V
DRM
, V
DSM
NTE5590
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5591
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5592
1200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5597
1600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive Peak Reverse Blocking Voltage, V
RSM
NTE5590
300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5591
700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5592
1300V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5597
1700V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average OnState Current (Half Sine Wave), I
T(AV)
T
hs
= +55
C (Double Side Cooled)
470A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
T
hs
= +85
C (Single Side Cooled)
160A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current (T
hs
= +25
C, Double Side Cooled), I
T(RMS)
780A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Continuous OnState Current (T
hs
= +25
C, Double Side Cooled), I
T
668A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak OneCycle Surge (10ms duration, 60% V
RRM
reapplied), I
TSM (1)
4650A
. . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive OnState Current (10ms duration, V
R
10V), I
TSM (2)
5120A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Permissible Surge Energy (V
R
10V), I
2
t
10ms duration
131000A
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3ms duration
97350A
2
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Current (Anode positive with respect to cathode), I
FGM
19A
. . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Forward Gate Voltage (Anode positive with respect to cathode), V
FGM
18V
. . . . . . . . . . . . . . .
Peak Reverse Gate Voltage, V
RGM
5V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power, P
G
2W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Gate Power (100
s pulse width), P
GM
100W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of OffState Voltage (To 80% V
DRM
gate opencircuit), dv/dt
200V/
s
. . . . . . . . . . . . .
Rate of Rise of OnState Current, di/dt
(Gate drive 20V, 20
with t
r
1
s, anode voltage
80% V
DRM
)
Repetitive
500A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NonRepetitive
1000A/
s
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
hs
40
to +125
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoHeatsink, R
th(jhs)
(For a device with a maximum forward voltage drop characteristic)
Double Side Cooled
0.095
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Single Side Cooled
0.190
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Absolute Maximum Ratings (Cont'd): (T
J
= +125
C unless otherwise specified)
Peak OnState Voltage (I
TM
= 840A), V
TM
1.75V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Threshold Voltage, V
O
0.92V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Forward Conduction Slope Resistance, r
0.99m
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak OffState Current (At V
DRM
), I
DRM
20mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak Reverse Current (At V
RRM
), I
RRM
20mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Current (V
A
= 6V, I
A
= 1A, T
J
= +25
C), I
GT
150mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage (V
A
= 6V, I
A
= 1A, T
J
= +25
C), V
GT
3V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Holding Current (V
A
= 6V, I
A
= 1A, T
J
= +25
C), I
H
600mA
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Gate Voltage Which Will Not Trigger Any Device, V
GD
0.25V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
8.500 (21.59)
Max
For No. 6 Screws
.145 (3.7) Dia Max
2.290
(58.16)
Max
1.060
(26.92)
Max
1.343
(34.13)
Max
2.090
(53.08)
Max
Marking
Anode
Cathode
Cathode Potential (Red)
Gate (White)
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