NTE2557
Silicon NPN Transistor
Darlington, High Voltage Switch, Power Amp
Absolute Maximum Ratings:
CollectorBase Voltage, V
CBO
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
CollectorEmitter Voltage, V
CEO
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
EmitterBase Voltage, V
EBO
7V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Collector Current, I
C
Continuous
15A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
22A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Base Current, I
B
Continuous
1A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak
2A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Total Transistor Dissipation (T
C
= +25
C), P
T
100W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Junction Temperature, T
J
+150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
1.25
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
C
= +25
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Collector Cutoff Current
I
CBO
V
CB
= 200V
0.1
mA
I
CEO
V
CE
= 200V
0.1
mA
Emitter Cutoff Current
I
EBO
V
EB
= 7V
5.0
mA
DC Current Gain
h
FE
V
CE
= 3V, I
C
= 10A
1500
30000
Transistion Frequency
f
T
V
CE
= 10V, I
C
= 1.5A
20
MHz
CollectorEmitter Saturation Voltage
V
CE(sat)
I
C
= 10A, I
B
= 30mA
1.5
V
BaseEmitter Saturation Voltage
V
BE(sat)
I
C
= 10A, I
B
= 30mA
2.0
V
TurnOn Time
t
on
I
B1
= I
B2
= 30mA,
2
s
Storage Time
t
stg
I
C
= 10A, R
L
= 3
,
V
= 4V
8
s
Fall Time
t
f
V
BB2
= 4V
5
s
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