NTE2959
MOSFET
NChannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
D
SMPS
D
DCDC Converter
D
Battery Charger
D
Power Supply of Printer
D
Copier
D
HDD, FDD, TV, VCR
D
Personal Computer
Absolute Maximum Ratings: (T
C
= +25
C unless otherwise specified)
DrainSource Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
900V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GateSource Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
30V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
Continuous
5A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
15A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
30W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, ChanneltoCase, R
th(chc)
4.17
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Isolation Voltage, V
ISO
2000V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
ch
= +25
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DrainSource Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
900
V
GateSource Breakdown Voltage
V
(BR)GSS
V
DS
= 0V, I
G
=
100
A
30
V
GateSource Leakage
I
GSS
V
GS
=
25V, V
DS
= 0V
10
A
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 900V, V
GS
= 0
1.0
mA
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
2.0
3.0
4.0
V
Static DrainSource ON Resistance
R
DS(on)
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
2.15
2.80
DrainSource OnState Voltage
V
DS(on)
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
4.3
5.6
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
GS
= 10V, I
D
= 2A
3.0
5.0
S
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