NTE2966
MOSFET
NChannel, Enhancement Mode
High Speed Switch
Applications:
D
Motor Control
D
Lamp Control
D
Solenoid Control
D
DCDC Converter
Absolute Maximum Ratings: (T
C
= +25
C unless otherwise specified)
DrainSource Voltage (V
GS
= 0V), V
DSS
60V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
GateSource Voltage (V
DS
= 0V), V
GS
20V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Drain Current, I
D
Continuous
70A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
280A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Avalanche Drain Current (Pulsed, L = 100
H), I
DA
70A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Source Current, I
S
Continuous
70A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Pulsed
280A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Maximum Power Dissipation, P
D
150W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Channel Temperature Range, T
ch
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
55
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Thermal Resistance, ChanneltoCase, R
th(chc)
0.83
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
ch
= +25
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
DrainSource Breakdown Voltage
V
(BR)DSS
V
DS
= 0V, I
D
= 1mA
60
V
GateSource Leakage
I
GSS
V
GS
=
20V, V
DS
= 0V
0.1
A
Zero Gate Voltage Drain Current
I
DSS
V
DS
= 60V, V
GS
= 0
0.1
mA
Gate Threshold Voltage
V
GS(th)
V
DS
= 10V, I
D
= 1mA
2.0
3.0
4.0
V
Static DrainSource ON Resistance
R
DS(on)
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
5.7
7.5
m
DrainSource OnState Voltage
V
DS(on)
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
0.200 0.263
V
Forward Transfer Admittance
|y
fs
|
V
GS
= 10V, I
D
= 35A
50
70
S
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