NTE5417 thru NTE5419
Silicon Controlled Rectifier (SCR)
10 Amp
Absolute Maximum Ratings:
Repetitive Peak Reverse Voltage (T
C
= +110
C), V
RRM
NTE5417
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5418
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5419
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Repetitive Peak OffState Voltage (T
C
= +110
C), V
DRM
NTE5417
200V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5418
400V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
NTE5419
600V
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
RMS OnState Current (T
C
= +80
C, Conduction Angle of 180
), I
T(RMS)
10A
. . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak Surge (NonRepetitive) OnState Current (One Cycle at 50 or 60Hz), I
TSM
100A
. . . . . . . . . .
Peak GateTrigger Current (3
s Max), I
GTM
1A
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Peak GatePower Dissipation (I
GT
I
GTM
), P
GM
16W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Average Gate Power Dissipation, P
G(AV)
500mW
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Operating Temperature Range, T
opr
40
to +110
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Storage Temperature Range, T
stg
40
to +150
C
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Typical Thermal Resistance, JunctiontoCase, R
thJC
2.5
C/W
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
Electrical Characteristics: (T
C
= +25
C unless otherwise specified)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Unit
Peak OffState Current
I
RRM
V
RRM
= Max, V
DRM
= Max,
0.5
mA
I
DRM
T
C
= +110
C
0.5
mA
Maximum Peak OnState Voltage
V
TM
I
T
= 10A
1.8
V
DC Holding Current
I
HOLD
Gate Open
30
mA
DC GateTrigger Current
I
GT
V
D
= 6VDC, R
L
= 60
25
mA
DC GateTrigger Voltage
V
GT
V
D
= 6VDC, R
L
= 60
1.5
V
Gate Controlled TurnOn Time
t
gt
I
GT
= 100mA
2.5
s
Critical Rate of OffState Voltage
dv/dt
(critical)
Gate Open, T
C
= +100
C
200
V/
s
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